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질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200510
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 유전체 패턴을 이용한 에피택셜 성장(epitaxial growth)을 통하여 서로 이격된 복수의 단위 소자를 형성하기 위한 것이다. 본 발명은 베이스 기판을 준비하는 단계, 베이스 기판 위에 유전체층을 형성하는 단계, 유전체층을 패터닝하여 복수의 포켓을 갖는 유전체 패턴을 형성하는 단계, 복수의 포켓에 각각 오버 충전되게 질화물계의 단위 소자를 형성하되, 서로 이격되게 단위 소자를 형성하는 형성 단계, 호스트 기판 위에 베이스 기판을 부착하되, 단위 소자가 형성된 면을 부착하는 단계, 유전체 패턴 및 복수의 단위 소자 위의 베이스 기판을 분리하는 단계, 및 유전체 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 질화물계 반도체 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020120155932 (2012.12.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1407698-0000 (2014.06.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영호 대한민국 광주 광산구
2 김승환 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
4 양계모 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1088517-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070696-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0773715-33
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1170584-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1170577-84
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0133462-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0200069-51
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0200067-60
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0246316-47
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 유전체층을 형성하는 단계;상기 유전체층을 패터닝하여 복수의 포켓을 갖는 유전체 패턴을 형성하는 단계;상기 복수의 포켓에 각각 오버 충전되게 질화물계의 단위 소자를 형성하되, 서로 이격되게 상기 단위 소자를 형성하는 형성 단계;호스트 기판 위에 상기 베이스 기판을 부착하되, 상기 단위 소자가 형성된 면을 부착하는 단계;상기 유전체 패턴 및 복수의 단위 소자 위의 상기 베이스 기판을 분리하는 단계;상기 유전체 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 단계에서,상기 유전체층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유전체 패턴을 형성하는 단계에서,상기 포켓은 다각형 또는 타원으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단위 소자를 형성하는 단계는,상기 복수의 포켓에 각각 오버 충전되게 질화물계의 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 복수의 포켓에 형성된 상기 제1 반도체층을 덮도록 각각 질화물계의 활성층을 형성하는 단계;상기 복수의 포켓의 활성층을 덮도록 각각 질화물계의 제2 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계에서,상기 포켓을 포함하여, 상기 포켓 주위의 상기 유전체 패턴 위에 상기 제1 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계에서,상기 제1 반도체층의 가장자리 부분은 경사면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 단위 소자를 형성하는 단계에서,상기 단위 소자는 버섯 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 단위 소자를 형성하는 단계는,상기 복수의 포켓의 제2 반도체층을 덮도록 각각 반사 접합층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제거하는 단계 이후에 수행되는,상기 단위 소자 단위로 상기 호스트 기판을 절단하여 개별 질화물계 반도체 소자를 획득하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 유전체 패턴을 형성하는 단계는,상기 포켓의 안쪽에 마이크로 패턴을 형성하는 단계; 또는상기 포켓의 안쪽에 나노 크기의 세라믹 또는 금속 소재로 나노 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조된 질화물계 반도체 소자
12 12
호스트 기판;상기 호스트 기판 위에 형성된 질화물계 단위 소자;를 포함하며,상기 단위 소자는,상기 호스트 기판 위에 형성되며, 가장자리 부분이 상기 호스트 기판의 상부면에서 뜨게 형성된 반사 접합층;상기 반사 접합층 위에 형성된 질화물계의 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 위에 형성된 질화물계의 활성층;상기 활성층 위에 상기 활성층이 형성하는 공간을 충전하게 형성되며, 중심 부분이 상기 활성층에서 이격되어 돌출된 자루부를 구비하는 제1 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 반도체층의 자루부를 중심으로 상부면에 상기 반사 접합층, 제2 반도체층, 활성층 및 제1 반도체층 부분이 노출되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
14 14
제13항에 있어서,상기 제1 반도체층의 자루부를 중심으로 상부면에 상기 반사 접합층, 제2 반도체층, 활성층 및 제1 반도체층의 끝단면이 링 형태로 노출되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 반도체층의 자루부를 중심으로 상부면은 평평하게 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
16 16
삭제
17 17
베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성되며, 복수의 포켓을 갖는 유전체 패턴;상기 복수의 포켓에 각각 오버 충전되게 형성되며, 서로 이격되게 형성된 복수의 질화물계의 단위소자;를 포함하며상기 단위 소자는,상기 복수의 포켓에 각각 오버 충전되게 형성된 질화물계의 제1 반도체층;상기 복수의 포켓에 형성된 상기 제1 반도체층을 각각 덮도록 형성된 질화물계의 활성층;상기 복수의 포켓의 활성층을 각각 덮도록 형성된 질화물계의 제2 반도체층;상기 복수의 포켓의 제2 반도체층을 각각 덮도록 형성된 반사 접합층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자 제조용 기판
18 18
제17항에 있어서, 상기 유전체 패턴은,상기 포켓의 안쪽에 형성된 마이크로 또는 나노 패턴;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자 제조용 기판
19 19
제18항에 있어서,상기 마이크로 패턴은 상기 유전체 패턴과 동일한 소재이고,상기 나노 패턴의 소재는 나노 크기의 세라믹 또는 금속 소재인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자 제조용 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.