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그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터에 있어서,광 신호가 입사되는 입사구와 광 신호가 출사되는 출사구를 구비하며, 상기 입사구를 통해 입력된 광 신호의 일부가 분기되는 광결합영역이 형성되어 있는 주 도파로;상기 주 도파로의 광결합영역과 광결합되어, 상기 주 도파로로부터 분기된 광 신호를 입력받는 광결합영역을 가지며, 복수개의 광 도파로들로 구성된 공진 도파로; 및 상기 공진 도파로를 구성하는 광 도파로들이 서로 접속되는 영역에 배치되어, 입력된 광 신호가 공진 도파로 내를 주회하도록 하는 광경로변경부재; 를 포함하되,상기 공진 도파로를 구성하는 광 도파로 중, 적어도 하나 이상의 광 도파로는, 플라즈모닉 전광 도파로 구조인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈모닉 전광 도파로 구조는,반도체로 형성된 광 도파로;상기 광 도파로의 일측면 또는 양측면에 형성되어, 플라즈몬 공명을 여기시킬 수 있는 금속층; 및 외부 제어광원을 흡수시켜 굴절률 변화를 통해 상기 금속층에 여기된 표면 플라즈몬 모드를 제어할 수 있는 그래핀 층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 공진 도파로를 구성하는 광 도파로 중, 어느 하나의 광 도파로는, 상기 주 도파로와 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 공진 도파로는,링형, 디스크형, 다각형 형상 중, 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 광경로변경부재는,전반사미러인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈모닉 전광 도파로 구조의 그래핀 층에 입사된 외부 제어광원에 의해서, 상기 공진 도파로의 유효 굴절률이 변하게 되며, 광 신호의 위상이 변화하여 결합공진조건이 달라지는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 공진 도파로 내를 진행하던 광 신호는, 상기 공진 도파로의 광결합영역에서 주 도파로로 결합되어 주 도파로의 출사구를 통해 출력되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광 도파로에 형성된 금속층은, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 중, 어느 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 플라즈모닉 전광 트랜지스터
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