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초격자층을 가지는 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015200515
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 장파장대의 광을 형성할 수 있으며, 전자의 오버플로우를 방지할 수 있는 발광 다이오드가 개시된다. 전자의 오버플로우를 방지하기 위해 높은 에너지 장벽을 가진 초격자층은 발광 동작을 수행하는 활성층 내부에 형성되며, 전자를 공급하는 n형 접합층에 인접하여 형성된다. 또한, n형 접합층과 활성층 사이에는 높은 에너지 장벽을 가지는 n 접합 초격자층이 구비될 수 있다.
Int. CL H01L 33/04 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020120135078 (2012.11.27)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1439652-0000 (2014.09.02)
공개번호/일자 10-2014-0070764 (2014.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오화섭 대한민국 광주 광산구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 이상헌 대한민국 부산 금정구
4 정탁 대한민국 광주 광산구
5 박형조 대한민국 광주 광산구
6 정태훈 대한민국 서울특별시 금천구
7 주진우 대한민국 광주 광산구
8 김자연 대한민국 광주 광산구
9 김윤석 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0979779-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057264-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0608830-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0953686-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0953670-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0138323-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0384007-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0384076-30
10 등록결정서
Decision to grant
2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0593595-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 전자를 공급하기 위한 n형 접합층;상기 n형 접합층 상에 형성되고, 발광 동작을 수행하기 위해 장벽층 및 우물층이 교대로 형성된 구조를 가지는 활성층;상기 n형 접합층과 상기 활성층 사이에 형성되고, 상기 n형 접합층의 과잉 전자의 오버플로우를 방지하기 위한 n 접합 초격자층; 및상기 활성층 상에 형성되고, 상기 활성층에 정공을 공급하기 위한 p형 접합층을 포함하고,상기 활성층은 상기 n형 접합층과 인접한 영역에 전자의 오버플로우를 방지하기 위한 초격자층을 더 포함하고,상기 n 접합 초격자층은 상기 n형 접합층과 동일한 밴드갭을 가지고 도핑되지 않은 AlInP로 구성된 접합 초격자 장벽층과,상기 장벽층과 동일한 밴드갭을 가지고 도핑되지 않은 AlGaInP로 구성된 접합 초격자 우물층을 포함하며,상기 n형 접합층 또는 p형 접합층은 AlInP를 포함하고, 상기 장벽층은 AlGaInP를 포함하며, 상기 우물층은 GaInP를 포함하고,상기 초격자층은 상기 n형 접합층과 동일한 밴드갭을 가진 초격자 장벽층과,상기 장벽층과 동일한 밴드갭을 가진 초격자 우물층을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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삭제
3 3
삭제
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제1항에 있어서, 상기 초격자 장벽층은 AlInP를 포함하고, 상기 초격자 우물층은 AlGaInP를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 초격자층과 상기 n형 접합층 사이에는 적어도 하나의 상기 장벽층 및 상기 우물층이 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 초격자층의 두께는 상기 장벽층의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.