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질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200524
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 질화물계 반도체 발광소자를 구성하는 질화물 소재의 층 내부의 양호한 격자 정합성과, 질화물 소재의 층 간의 양호한 격자 정합성을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 기판 위에 버퍼층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 적층되어 형성된다. 이때 버퍼층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층 중에 적어도 하나는 Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 또는 Ⅴ족 소스 중에 적어도 하나의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 공급하여 해당 층을 형성한다. 따라서 해당 층을 일체로 형성하면서 해당 층 내부의 조성을 변경할 수 있기 때문에, 해당 층 내에서의 양호한 격자 정합성을 포함하여 해당 층과 이웃하는 다른 층과의 양호한 격자 정합성을 확보할 수 있다. 이로 인해 해당 층과, 해당 층을 중심으로 상하에 형성된 다른 층과의 격자 상수 및 열팽창 계수 차이에 기안한 크랙, 뒤틀림 및 전위 등의 발생을 감소시킬 수 있고, 내부양자효율을 향상시켜 질화물계 반도체 발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020100100819 (2010.10.15)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1199796-0000 (2012.11.05)
공개번호/일자 10-2012-0039231 (2012.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20121112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.15)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
2 송영호 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 김재범 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0667074-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0563433-79
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0953938-69
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-1052581-53
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0075176-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0140680-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0140681-18
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0432268-37
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.08.24 수리 (Accepted) 7-1-2012-0039525-52
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.09.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0776987-78
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0626080-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 n형 반도체층을 형성하는 n형 반도체층 형성 단계;상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 활성층 형성 단계;상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 p형 반도체층 형성 단계;를 포함하며,상기 버퍼층 형성 단계, 상기 n형 반도체층 형성 단계, 상기 활성층 형성 단계 및 상기 p형 반도체층 형성 단계에서, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 공급하여 해당 층을 각각 연속하여 형성하고,상기 Ⅲ족 소스는 B, Al, Ga, In 중에 적어도 하나를 함유하고, 상기 Ⅴ족 소스는 N을 함유하고,상기 버퍼층, 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlGaInN, AlGaInBN 중에 하나이고,상기 버퍼층 형성 단계는,Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 질화물 핵 성장층을 상기 베이스 기판 위에 형성하는 단계;상기 질화물 핵 성장층을 형성한 이후에, 연속하여 상기 Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, 상기 Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 상기 질화물 핵 성장층을 기반으로 상기 베이스 기판을 덮도록 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 n형 반도체층을 형성하는 n형 반도체층 형성 단계;상기 n형 반도체층 위에 n형 클래드층을 형성하는 n형 클래드층 형성 단계;상기 n형 클래드층 위에 활성층을 형성하는 활성층 형성 단계;상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 p형 클래드층 형성 단계;상기 p형 클래드층 위에 p형 반도체층을 형성하는 p형 반도체층 형성 단계;를 포함하며,상기 버퍼층 형성 단계, 상기 n형 반도체층 형성 단계, 상기 n형 클래드층 형성 단계, 상기 활성층 형성 단계, 상기 p형 클래드층 형성 단계 및 상기 p형 반도체층 형성 단계에서, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 공급하여 해당 층을 각각 연속하여 형성하고,상기 버퍼층, 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlGaInN, AlGaInBN 중에 하나이고,상기 버퍼층 형성 단계는,Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 질화물 핵 성장층을 상기 베이스 기판 위에 형성하는 단계;상기 질화물 핵 성장층을 형성한 이후에, 연속하여 상기 Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스를 공급하되, 상기 Ⅲ족 및 Ⅴ족 소스의 공급량을 스텝형 또는 커브형으로 함께 가변하여 상기 질화물 핵 성장층을 기반으로 상기 베이스 기판을 덮도록 Ⅲ-Ⅴ족 소재의 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
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