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제1반도체층;상기 제1반도체층에 인접한 양자우물 구조의 활성층;상기 활성층에 인접한 제2반도체층;상기 제1반도체층 일측부에 연결된 제1전극; 및상기 제2반도체층 일측부에 연결된 제2전극;을 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;을 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1반도체층에 인접한 기판;을 포함하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서, 상기 기판, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;을 포함하는 발광 다이오드
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비전도성 기판;상기 기판에 인접한 제1반도체층;상기 제1반도체층에 인접한 양자우물 구조의 활성층;상기 활성층에 인접한 제2반도체층;상기 기판, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;상기 보호막이 형성된 일측부에 상기 기판과 연결된 제1전극;상기 보호막이 형성된 일측부에 상기 제2반도체층과 연결된 제2전극; 및상기 제1반도체층과 제1전극을 연결하는 전도체;를 포함하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 광이 방출되는 표면에 텍스쳐링(texturing)을 통하여 광추출 효율을 향상시킨 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 다이오드의 활성층에 수평한 방향과 수직한 방향의 길이를 다르게 조절하여 광추출 효율을 향상시킨 발광 다이오드
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8
제1반도체층;상기 제1반도체층에 인접한 양자우물 구조의 활성층;상기 활성층에 인접한 제2반도체층;상기 제1반도체층 일측부에 연결된 제1전극 또는 상기 제2반도체층 일측부에 연결된 제2전극 중 하나;를 포함하는 발광 다이오드 모듈
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제8항에 있어서, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;을 포함하는 발광 다이오드 모듈
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10
제8항에 있어서, 상기 제1반도체층에 인접한 기판;을 포함하는 발광 다이오드 모듈
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제10항에 있어서, 상기 기판, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;을 포함하는 발광 다이오드 모듈
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비전도성 기판;상기 기판에 인접한 제1반도체층;상기 제1반도체층에 인접한 양자우물 구조의 활성층;상기 활성층에 인접한 제2반도체층;상기 기판, 상기 제1반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2반도체층의 일측부에 인접하여 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막;상기 보호막이 형성된 일측부에 상기 기판과 연결된 제1전극;상기 제1반도체층과 제1전극을 연결하는 전도체;를 포함하는 발광 다이오드 모듈
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제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 광이 방출되는 표면에 텍스쳐링(texturing)을 통하여 광추출 효율을 향상시킨 발광 다이오드 모듈
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제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 발광 다이오드 모듈의 활성층에 수평한 방향과 수직한 방향의 길이를 다르게 조절하여 광추출 효율을 향상시킨 발광 다이오드 모듈
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제8항에 있어서, 상기 제1전극 또는 상기 제2전극에 둘 이상의 상기 제1반도체층, 상기 활성층, 상기 제2반도체층으로 구성된 반도체 구조가 반복하여 연결된 발광 다이오드 모듈
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제3항의 발광 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 기판의 상부에 상기 제1반도체층, 상기 활성층, 상기 제2반도체층을 순차적으로 적층하여 반도체구조를 형성하는 단계;상기 반도체구조의 측면을 식각하여 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층이 각각 드러나게 하는 단계;상기 제1반도체층과 연결된 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 제2반도체층과 연결된 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직우물구조를 갖는 발광 다이오드 모듈 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 반도체구조의 측면을 식각하는 단계 이후에 식각된 일측부에 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막을 형성하는 단계;를 포함하는 수직우물구조를 갖는 발광 다이오드 모듈 제조방법
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제8항의 발광 다이오드 모듈을 제조하는 방법에 있어서, 기판의 상부에 제1반도체층, 양자우물 구조의 활성층, 제2반도체층을 순차적으로 적층하여 반도체구조를 형성하는 단계;상기 반도체구조의 측면을 식각하여 제1반도체층과 제2반도체층이 각각 드러나게 하는 단계;상기 제1반도체층과 연결된 제1전극을 형성하는 단계 또는 상기 제2반도체층과 연결된 제2전극을 형성하는 단계 중 어느 한 단계;를 포함하는 수직우물구조를 갖는 발광 다이오드 모듈 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 반도체구조의 측면을 식각하는 단계 이후에 상기 반도체구조의 식각된 일측부에 쇼트(short)방지기능을 하는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
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