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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200530
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 발광 다이오드 모듈에 관한 것으로서, 삼각형 등 다각형의 형태를 이용하여 입사각이 임계각보다 큰 빛도 추출 할 수 있도록 하고, 비아홀(Via hole)에 전극을 구비한 발광 다이오드를 제공함에 있다. 이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드에 있어서, 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도를 초과하거나 90도 미만이고, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층 내부에 하나 이상의 비아홀(Via hole)을 구비하고 비아홀 내부에 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.한편, 발광 다이오드 제조방법은 (a) 기판에 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도를 초과하거나 90도 미만이 되도록 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 p형 반사층을 성장시키는 과정; (b) 상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 p형 반사층에 비아홀을 형성시키는 과정; (c) 상기 비아홀에 내주면 및 p형 반사층 표면에 절연보호막을 형성시키는 과정; 및 (d) 상기 비아홀에 전극을 형성시키는 과정; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020110127730 (2011.12.01)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0061426 (2013.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김자연 대한민국 광주광역시 광산구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
4 정탁 대한민국 광주광역시 광산구
5 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
6 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
7 권민기 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0956734-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0063810-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0623818-74
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1050906-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0056292-02
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0144510-58
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0236430-84
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0032377-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0345928-32
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0345931-70
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0448607-76
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.07.29 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-0686856-07
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0686855-51
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0555990-14
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0555988-22
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드에 있어서, 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도를 초과하거나 90도 미만이고, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층 내부에 하나 이상의 비아홀(Via hole)을 구비하고 비아홀 내부에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 p형 반도체층의 하부에 p형 반사층을 더 포함하고, 하나 이상의 비아홀이 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 p형 반사층에 형성되고 비아홀 내부 및 p형 반사층 하단에 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 비아홀은 원형, 타원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
4 4
(a) 기판에 인접하는 두 측면에 의해 형성되는 각각의 면각 중에서 선택된 적어도 하나의 면각이 90도를 초과하거나 90도 미만이 되도록 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 p형 반사층을 성장시키는 과정;(b) 상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 p형 반사층에 비아홀을 형성시키는 과정;(c) 상기 비아홀에 내주면 및 p형 반사층 표면에 절연보호막을 형성시키는 과정; 및(d) 상기 비아홀에 전극을 형성시키는 과정; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 (d) 과정 이후에,(e) 기판을 제거하고 제2의 기판을 전극하단에 결합하는 과정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업기술정보진흥원 한국광기술원 제조현장 녹색화기술개발사업(산학연협력과제) 광추출효율 개선을 위한 다각형 LED 칩 제조기술 개발 산업재산권이 도출된 연구과제명
2 교육과학기술부 조선대학교 일반연구자지원사업 고휘도 녹색 발광다이오드 개발을 위한 표면플라즈몬 연구 산업재산권이 도출된 연구과제명