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상기 기판 상에 제 1 클래드층, 활성층, 제 2 클래드층 및 윈도우층을 순차적으로 형성하고; 및상기 윈도우층에 도펀트를 도핑시키는 것:을 포함하는, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 도펀트는 Zn, Cd, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도펀트의 도핑은 10-9 내지 10-6 torr 의 고진공 하에서 수행되는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서,상기 도펀트의 도핑은 600 내지 800℃ 의 온도조건 하에서 수행되는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 GaAs, GaN, Al2O3, MgAl2O4, SiC, Si, ZnO, InP 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAlP, InGaP, InGaAs, GaAs 및 AlGaAs을 포함하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 클래드층, 활성층 및 제 2 클래드층은 기상증착(vapor-phase deposition) 방법을 이용하여 상기 기판에 형성되는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기상증착 방법은 유기금속화학증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy; MBE), 수소기상에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE), 고온 화학기상증착(Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition; RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD), 저압 화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition; LPCVD), 상압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition; APCVD) 및 플라즈마 화학기상증착(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD) 방법을 포함하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 분산된 브래그 반사층(distributed Bragg Reflector; DBR)을 추가 포함하여 형성하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 분산된 브래그 반사층은 GaAs, AlGaAs 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 1 항에 있어서,상기 윈도우층 상에 투명 도전성 산화물층을 추가 포함하여 형성하는 것인, 발광 다이오드의 휘도 향상 방법
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제 11 항에 있어서,상기 투명 도전성 산화물층은 SnO2, CdO, ZnO, MgO, 인듐-주석-산화물(ITO), Al-도핑된 아연 산화물(AZO), Zn-도핑된 인듐 산화물(IZO), Nb:SrTiO3, Ga-도핑된 ZnO(GZO), Nb-도핑된 TiO2, F-도핑된 주석 산화물(FTO), (La0
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 발광 다이오드
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