맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화아연 나노 구조체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200549
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노 구조체 제조방법에 관한 것으로서, 수열합성에 의해 나노 구조를 형성함에 있어 요구되는 시드(seed)를, 이종 기판 상에 주기적으로 형성하고, 형성된 시드를 이용하여 주기적인 배열을 가지는 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 기판 상에 포토레지스트(Photo Resist: PR)를 코팅하는 단계; (b) 상기 포토레지스트를 주기적인 나노 패턴을 갖도록 노광(expose) 및 현상(develop)하는 단계; (c) 아연(Zn)의 주기적인 나노 분포를 갖도록 하기 위하여, 리프트오프(lift-off) 공정을 수행하는 단계; (d) 상기 아연(Zn)을 산소 또는 공기 분위기에서 열처리하여 산화아연(ZnO)을 형성하는 단계; 및 (e) 주기적으로 형성된 산화아연(ZnO)을 시드(seed)로 하여 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 성장(growing)시키는 단계; 를 포함한다.
Int. CL G03F 7/004 (2006.01) C01G 9/02 (2006.01) B01J 2/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120015808 (2012.02.16)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1345256-0000 (2013.12.19)
공개번호/일자 10-2013-0094505 (2013.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20131227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.16)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주 서구
2 김두근 대한민국 광주 광산구
3 기현철 대한민국 광주 북구
4 김태언 대한민국 전남 나주시 세지면
5 김회종 대한민국 광주 광산구
6 김진혁 대한민국 광주 북구
7 이병택 대한민국 광주 북구
8 이동길 대한민국 광주 광산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0125035-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027042-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0497499-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0853192-62
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0853193-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0877749-91
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
포토레지스트를 주기적인 나노 패턴을 갖도록 한 후, 아연(Zn)을 리프트오프(lift-off) 공정 방법으로 주기적인 분포를 갖도록 하고, 이를 열처리 및 산화시켜 산화아연(ZnO) 시드를 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,(a) 기판 상에 포토레지스트(Photo Resist: PR)를 코팅하는 단계;(b) 상기 포토레지스트를 주기적인 나노 패턴을 갖도록 노광(expose) 및 현상(develop)하는 단계; (c) 아연(Zn)의 주기적인 나노 분포를 갖도록 하기 위하여, 리프트오프(lift-off) 공정을 수행하는 단계;(d) 상기 아연(Zn)을 산소 또는 공기 분위기에서 열처리하여 산화아연(ZnO)을 형성하는 단계; 및 (e) 주기적으로 형성된 산화아연(ZnO)을 시드(seed)로 하여 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 성장(growing)시키는 단계; 를 포함하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
3 3
제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 포토레지스트를 역(逆) 메사(mesa) 형태를 가지도록 노광 및 현상하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
4 4
제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 주기적인 나노 패턴은,직선(line) 또는 점(dot)의 형태인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c-1) 상기 포토레지스트의 상부 및 포트레지스트 사이의 기판 상부에 아연(Zn)을 증착하는 단계; 및 (c-2) 상기 포토레지스트를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
아연(Zn)을 증착 후 포토레지스트의 주기적인 나노 패턴을 형성하고, 식각공정을 통해 주기적인 아연(Zn) 나노 분포를 갖도록 하고, 이를 열처리 및 산화시켜 산화아연(ZnO) 시드를 형성하되, (a) 기판 상에 아연(Zn)을 증착하는 단계;(b) 상기 아연(Zn) 상부에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (c) 상기 포토레지스트를 주기적인 나노 패턴을 갖도록 노광(expose) 및 현상(develop)하는 단계;(d) 주기적인 나노 패턴을 가지는 포토레지스트를 마스크(mask)로 하여 노출된 아연(Zn)을 식각하는 단계;(e) 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;(f) 상기 아연(Zn)을 산소 또는 공기 분위기에서 열처리하여 산화아연(ZnO)을 형성하는 단계; 및 (g) 주기적으로 형성된 산화아연(ZnO)을 시드(seed)로 하여 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 성장(growing)시키는 단계; 를 포함하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 주기적인 나노 패턴은, 직선(line) 또는 점(dot)의 형태인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국광기술원 연구장비활용기술개발사업 압전성 광결정이 집적된 능동형 광 공진기 소자 특성 연구