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실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법에 있어서,(a) n/p-실리콘 기판의 p+-Si 일측면 상부로 p/n-GaAs 에피를 형성하는 단계; 및(b) 상기 n/p-실리콘 기판의 타측면인 n+-Si 면에 Si 대비 에너지밴드갭이 작은 p/n-InGaAs 나노와이어를 형성하고 그 상부에 p/n-Ge 접합 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계 이후,(c) 상기 n/p-GaAs 상부에 III-V 적층형 태양전지 구조를 성장하는 단계;(d) 성장된 III-V 적층형 태양전지 상부에 SiO2층 또는 SiNx층과 같은 보호막을 증착시키는 단계; 및(e) 열처리를 통해 Si 기판과 III-V 사이의 계면 확산에 의한 고농도 터널층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법에 있어서,(a) p+-Si 기판 면 위에 p/n-GaAs 나노 와이어를 형성하는 단계;(b) 상기 p+-Si 기판 면 위에 p/n-GaAs 박막이 성장되었을 경우, 그 박막 위에 터널졍션 성장 후 p/n-(InxGa1-x)yAl1-yP 나노와이어층을 형성하는 단계; (c) 상기 (a) 단계 또는 (b) 단계 이후, spin coater 방식에 의하여 SU8층으로 나노와이어를 덮되, 윗면 p-형 나노와이어 부분을 노출되도록 형성하고, 그 상부에 ZnO층을 증착시키는 공정을 수행하는 단계; 및(d) 상기 ZnO층 상부에 Al층 적층 및 AR coating 적층 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법에 있어서,(a) SU8층 상부에 ZnO층을 적층하는 단계;(b) spin coater 방식에 의하여 SU8층으로 나노와이어를 덮되, 윗면 p-형 나노와이어 부분을 노출되도록 형성하고, 그 상부에 ZnO층을 증착시키는 공정을 수행하는 단계; 및(c) 상기 ZnO층 상부에 Al층 적층 및 AR coating 적층 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법에 있어서,(a) ZnO층 상부에 SU8층을 적층하는 단계;(b) spin coater 방식에 의하여 SU8층으로 나노와이어를 덮되, 윗면 p-형 나노와이어 부분을 노출되도록 형성하고, 그 상부에 ZnO층을 증착시키는 공정을 수행하는 단계; 및(c) 상기 ZnO층 상부에 Al층 적층 및 AR coating 적층 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법에 있어서,(a) 나노와이어층을 형성하는 단계;(b) SU8층 및 ZnO층을 형성하는 단계;(c) 상기 ZnO층 상부에 Al층 적층 및 AR coating공정을 수행하지 않고, 상기 ZnO층 상부에 SU8층을 적층하는 단계;(d) 상기 (c) 단계의 SU8층 상부에 ZnO층을 적층하는 단계;(e) 상기 (d) 단계의 ZnO층 상부에 p/n-(InxGa1-x)yAl1-yP 나노와이어층을 형성하는 단계;(f) 상기 나노와이어층 상부에 spin coater 방식에 의하여 SU8층으로 나노와이어를 덮되, 윗면 p-형 나노와이어 부분을 노출되도록 형성하고, 그 상부에 ZnO층을 증착시키는 공정을 수행하는 단계; 및 (g) ZnO층 상부에 Al층 적층 및 AR coating 적층 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기판을 이용한 적층형 고효율 태양전지 생성 방법
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