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(a) [110] 결정방향을 가지는 Si 기판(10) 상부에 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 마스크를 증착하는 단계;(b) 포토레지스트 패터닝 및 건식 식각을 수행하여 상기 기판(10)에 마스크 패턴(20)을 형성하는 단계; (c) 상기 기판(10)을 이방성 습식 식각하여, 측면이 [111] 결정방향을 가지는 요철구조(30)를 형성시키고, 상기 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 마스크를 제거하는 단계;(d) 상기 요철구조(30)의 표면과 기판(10)의 상면에 AIN 버퍼층(40)을 성장시키는 단계; (e) 상기 요철구조(30)의 측면방향([111] 결정방향)에서 초기 GaN 박막(50)을 성장시키는 단계; 및 (f) 성장된 GaN 박막(50)이 서로 머징(merging)될 경우, 측면방향으로의 성장을 억제시키고, 수직방향으로 GaN 박막(50)을 성장시키는 GaN 박막 평탄화 성장을 수행하는 단계; 를 포함하되,상기 (f) 단계에서,상기 GaN 박막(50)의 성장 온도, 압력, Ga 및 N 소스의 비율을 조절하여 측면방향으로의 성장을 억제시키는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철구조(30)는,측면 경사도가 90도로 일정한 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,형성된 마스크 패턴(20)은 라인(line) 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,형성된 마스크 패턴(20)의 폭은 0
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계에서,식각의 깊이는 0
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(a) [100] 결정방향을 가지는 Si 기판(10) 상부에 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 마스크를 증착하는 단계;(b) 포토레지스트 패터닝 및 건식 식각을 수행하여 상기 기판(10)에 마스크 패턴(20)을 형성하는 단계; (c) 상기 기판(10)을 이방성 습식 식각하여, 측면이 [111] 결정방향을 가지는 요철구조(30)를 형성시키고, 상기 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 마스크를 제거하는 단계;(d) 상기 요철구조(30)의 표면과 기판(10)의 상면에 AIN 버퍼층(40)을 성장시키는 단계; (e) 상기 요철구조(30)의 빗면방향([111] 결정방향)에서 초기 GaN 박막(50)을 성장시키는 단계; 및 (f) 성장된 GaN 박막(50)이 서로 머징(merging)될 경우, 측면방향으로의 성장을 억제시키고, 수직방향으로 GaN 박막(50)을 성장시키는 GaN 박막 평탄화 성장을 수행하는 단계; 를 포함하되,상기 (f) 단계에서,상기 GaN 박막(50)의 성장 온도, 압력, Ga 및 N 소스의 비율을 조절하여 측면방향으로의 성장을 억제시키는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 요철구조(30)는,측면 경사도가 55도 내지 56도로 일정한 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,형성된 마스크 패턴(20)은 라인(line) 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,형성된 마스크 패턴(20)의 폭은 0
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제 7 항에 있어서,상기 (c) 단계에서,식각의 깊이는 0
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