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칩의 발광영역과 형광체의 코팅영역이 동일한 백색 발광 다이오드 제조방법에 있어서, (a) [110] 결정방향을 가지는 실리콘 기판(10)에 발광 다이오드 구조층(20)을 성장시키는 단계;(b) 상기 발광 다이오드 구조층(20) 상에 서브 마운트(30)를 이용하여 칩 구조의 발광 다이오드 소자(40)를 형성하는 단계; (c) 하측에 위치한 실리콘 기판(10)이 상측에 위치하도록 상기 (b) 단계의 구조를 뒤집는 단계;(d) 상기 실리콘 기판(10)에 마스크를 증착하는 단계; (e) 포토레지스트 패터닝 및 건식 또는 습식 식각을 수행하여 실리콘 기판(10)에 마스크 패턴(50)을 형성하는 단계; (f) 상기 실리콘 기판(10)을 이방성 습식 식각하는 단계;(g) 상기 마스크 패턴(50)을 제거하는 단계; (h) 상기 발광 다이오드 소자(40)의 칩 발광 표면에 요철구조(60)를 형성시키는 단계;(i) 상기 요철구조(60)가 형성된 발광 다이오드 소자(30)의 칩 발광 표면에 형광체(phosphor)(70)를 코팅하는 단계; (j) 잔존하던 실리콘 기판(10)을 제거하는 단계; 및 (k) 제거된 중앙의 실리콘 기판(10) 위치를 기준으로, 상기 (j) 단계의 구조를 분할하는 단계; 를 포함하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 발광 다이오드 구조층(20)은, 버퍼층, u-GaN층, n-GaN층, MQWs층, p-GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 칩 구조의 발광 다이오드 소자(40)는, 플립칩 구조인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (i) 단계에서,색 온도 조절을 위하여, 상기 형광체(70)의 함량 및 코팅 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (i) 단계에서,상기 형광체(70)의 코팅 두께는, 1um 내지 500um 인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (j) 단계에서,상기 잔존하던 실리콘 기판(10)은,기둥(post) 형태인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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칩의 발광영역과 형광체의 코팅영역이 동일하지 않은 백색 발광 다이오드 제조방법에 있어서, (a) [110] 결정방향을 가지는 실리콘 기판(10)에 발광 다이오드 구조층(20)을 성장시키는 단계;(b) 상기 발광 다이오드 구조층(20) 상에 서브 마운트(30)를 이용하여 칩 구조의 발광 다이오드 소자(40)를 형성하는 단계; (c) 하측에 위치한 실리콘 기판(10)이 상측에 위치하도록 상기 (b) 단계의 구조를 뒤집는 단계;(d) 상기 실리콘 기판(10)에 마스크를 증착하는 단계; (e) 포토레지스트 패터닝 및 건식 또는 습식 식각을 수행하여 실리콘 기판(10)에 마스크 패턴(50)을 형성하는 단계; (f) 상기 실리콘 기판(10)을 이방성 습식 식각하는 단계;(g) 상기 마스크 패턴(50)을 제거하는 단계; (h) 상기 발광 다이오드 소자(40)의 칩 발광 표면에 요철구조(60)를 형성시키는 단계;(i) 상기 요철구조(60)가 형성된 발광 다이오드 소자(40)의 특정 패턴을 가지는 칩 발광 표면의 일부 영역에 형광체(phosphor)(70)를 코팅하는 단계; (j) 잔존하던 실리콘 기판(10)을 제거하는 단계; 및 (k) 제거된 중앙의 실리콘 기판(10) 위치를 기준으로, 상기 (j) 단계의 구조를 분할하는 단계; 를 포함하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (a) 단계에서,상기 발광 다이오드 구조층(20)은, 버퍼층, u-GaN층, n-GaN층, MQWs층, p-GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 칩 구조의 발광 다이오드 소자(40)는, 플립칩 구조인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (i) 단계에서, 색 온도 조절을 위하여, 상기 형광체(70)의 코팅 영역의 넓이를 조절하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (i) 단계에서, 상기 형광체(70)의 코팅 두께는, 1um 내지 500um 인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 (j) 단계에서,상기 잔존하던 실리콘 기판(10)은,기둥(post) 형태인 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법
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