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반사 전극층;상기 반사 전극층상에 형성되고, n-형 3족-질화물계 반도체층, p-형 3족-질화물계 반도체층 및 상기 n-형 3족-질화물계 반도체층과 p-형 3족-질화물계 반도체층사이에 형성된 활성층을 구비하는 적층체;상기 적층체 상에 형성되고 ZnO를 함유하는 투명 도전 기판; 및상기 투명 도전 기판의 면 중 상기 적층체를 향하는 면의 반대면에 형성된 패드부를 포함하고,상기 적층체의 복수의 측면들 중 서로 인접한 측면들이 이루는 각은 90도 미만 또는 90도를 초과하는 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판은 GaN, GaP AlN, ITO, SnO, TiO2 또는 SiC를 더 함유하는 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판의 측면의 개수와 상기 적층체의 측면의 개수는 동일하도록 상기 적층체의 상면과 상기 투명 도전 기판의 하면의 형태는 동일한 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판의 측면은 상기 적층체의 측면과 나란하게 형성되는 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판은 기둥 형태인 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판은 상기 적층체에서 멀어지는 방향으로 갈수록 단면적이 줄어들도록 측면이 경사진 형태를 갖는 발광 다이오드
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전 기판은 상기 적층체에서 멀어지는 방향으로 갈수록 단면적이 커지도록 측면이 경사진 형태를 갖는 발광 다이오드
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8
제1 항에 있어서,상기 적층체와 상기 투명 도전 기판 사이에 형성되고, 도전물을 함유하는 중간층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제8 항에 있어서,상기 중간층은 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO, AZO, Ti, Ni, Sn, Au, Pt, Pd, Cr, Al, Ag, Cu 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 함유하는 발광 다이오드
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10
제1 항에 있어서,상기 적층체의 평면은 서로 인접한 측면들이 이루는 각이 90도 미만 또는 90도를 초과하도록 삼각형, 오각형, 육각형, 기타 사각형을 제외한 다각형 또는 원의 형태를 갖는 발광 다이오드
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(a)기판상에 n-형 3족-질화물계 반도체층, p-형 3족-질화물계 반도체층 및 상기 n-형 3족-질화물계 반도체층과 p-형 3족-질화물계 반도체층 사이에 형성된 활성층을 구비하는 적층체를 형성하는 단계;(b)상기 적층체상에 ZnO를 함유하는 투명 도전 기판을 형성하는 단계; 및(c)상기 투명 도전 기판의 면 중 상기 적층체를 향하는 면의 반대면에 패드부를 형성하는 단계; 및(d)상기 적층체의 면 중 상기 투명 도전 기판을 향하는 면의 반대면에 반사 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (a)단계는 상기 적층체의 복수의 측면들 중 서로 인접한 측면들이 이루는 각은 90도 미만 또는 90도를 초과하도록 수행하는 발광 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 (b)단계는 투명 도전 기판 형성용 웨이퍼를 상기 적층체와 열과 압력을 선택적으로 또는 열과 압력을 동시에 가하여 접합하는 단계를 구비하는 발광 다이오드 제조 방법
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제11 항에 있어서, 상기 (b)단계는 상기 투명 도전 기판 형성용 웨이퍼 상에 상기 적층체 및 상기 반사 전극층을 덮도록 절연 물질을 함유하는 보호층을 형성하고 나서, 상기 투명 도전 기판 형성용 웨이퍼를 식각하는 단계를 구비하는 발광 다이오드 제조 방법
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