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플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법으로서:(a) 기판 상에 하나 이상의 층을 포함하는 적층물을 형성하는 단계; 및(b) 상기 적층물 상에 제1플라즈몬층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1플라즈몬층은 상기 적층물의 최상층을 형성한 후 MOCVD 장치에서 인시츄(in-situ)로 증착 형성하는 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1플라즈몬층 상에 활성층을 MOCVD 장치에서 인시츄(in-situ)로 증착 형성하는 단계를 더 포함하는 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 활성층을 형성한 후 상기 활성층 상에 상기 MOCVD 장치에서 인시츄로 제2플라즈몬층을 형성하는 것을 더 포함하는 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 적층물의 최상층은 활성층인 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1플라즈몬층의 증착 형성은, 플라즈몬 효과를 위한 금속 성분을 포함하는 MO소스를 이용하여 수행하는 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 플라즈몬 효과를 위한 금속 성분을 포함하는 MO소스는 Ag를 포함하는 MO소스인 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 플라즈몬을 위한 금속 성분을 포함하는 MO소스는:트리에톡시포스핀실버(tri-ethoxy-phosphine-silver), 트리에틸포스핀실버(tri-ethyl-phosphine-silver), 트리메틸포스핀실버(tri-methyl-phosphine-silver), 헵테인디오나토실버(heptane-dionato-silver), 및 비닐트리에틸실레인실버(vinyl-tri-ethyl-silane-silver) 중 어느 하나를 포함하는 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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청구항 3에 있어서, 상기 기판 상에 형성되어 상기 적층물에 포함된 제1반도체층과,상기 제2플라즈몬층 상에 형성된 제2반도체층을 포함하고,상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층은 MOCVD로 형성된 n형과 p형의 AlxGayInzN(0≤x,y,z≤1)인 것인,플라즈몬층을 가지는 반도체소자 제조방법
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