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성장기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 활성층을 포함하는 발광구조체층을 형성하는 단계;상기 발광구조체층 상에 유연 지지기판을 부착하는 단계;상기 유연 지지기판을 부착한 후, 상기 버퍼층을 선택적으로 습식식각하여 상기 성장기판과 상기 발광구조체층을 분리시키는 단계;상기 버퍼층을 선택적으로 습식식각한 후, 상기 유연 지지기판 상에 강성 지지기판을 부착하는 단계; 및상기 강성 지지기판을 부착한 후, 상기 발광구조체층 하부에 반사도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유연 지지기판은 수지 필름인 발광다이오드 제조방법
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 AlxGa1-xAs(0
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 버퍼층은 습식식각속도가 서로 다른 한 쌍의 층들이 교호적으로 반복 배치된 층인 발광다이오드 제조방법
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제4항에 있어서,상기 버퍼층은 AlAs층과 AlxGa1-xAs(0
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제1항에 있어서,상기 발광구조체층 상에 상기 유연 지지기판을 부착하기 전에,상기 발광구조체층을 메사 식각하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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7
제1항에 있어서,상기 유연 지지기판은 점착제층을 통해 상기 발광구조체층 상에 부착되는 발광다이오드 제조방법
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8
제1항에 있어서,상기 반사 도전막 하부에 전도성 지지기판을 부착하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 반사 도전막을 형성하기 전에, 상기 발광구조체층 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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11
제8항에 있어서,상기 전도성 지지기판을 부착한 후, 상기 유연 지지기판 및 상기 강성 지지기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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12
제8항에 있어서,상기 전도성 지지기판의 배면을 래핑하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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13
제12항에 있어서,상기 전도성 지지기판의 래핑된 면 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제13항에 있어서,상기 전극층을 형성한 후, 상기 유연 지지기판 및 상기 강성 지지기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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성장기판 상에 조성이 서로 다른 한 쌍의 층들을 교호적으로 반복 형성하여 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 활성층을 포함하는 발광구조체층을 형성하는 단계;상기 발광구조체층 상에 유연 지지기판을 부착하는 단계;상기 유연 지지기판을 부착한 후, 상기 버퍼층을 선택적으로 습식식각하여 상기 성장기판과 상기 발광구조체층을 분리시키는 단계;상기 버퍼층을 선택적으로 습식식각 한 후, 상기 유연 지지기판 상에 강성 지지기판을 부착하는 단계; 및상기 강성 지지기판을 부착한 후, 상기 발광구조체층 하부에 반사도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제15항에 있어서,상기 버퍼층은 AlAs층과 AlxGa1-xAs(0
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