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질화물계 반도체 발광소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200597
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 광전소자의 전자와 홀의 이동도와 전하농도의 차이에 의한 광출력 저하, 주입전류 증가에 따른 효율 감소 문제를 개선하여 홀의 주입효율을 향상시킨 고출력의 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.따라서 본 발명은 다양자 우물구조의 활성층에서 발광에 기여하지 않는 우물들에 직접 홀(정공)을 주입시킴으로써, 전자와 홀의 재결합 불균일성을 해소하여 발광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130000956 (2013.01.04)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1372846-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진홍 대한민국 광주 북구
2 안수창 대한민국 광주 북구
3 이광재 대한민국 광주 북구
4 정태훈 대한민국 광주 북구
5 박진영 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 우광제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-* (역삼동, 신도빌딩) *층(유리안국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0009117-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0090478-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0797259-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0031171-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0031173-82
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0152248-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물계 반도체 발광소자 제조 방법으로서,a) 기판부(110) 상에 n형 반도체층(130), 도핑되지 않은 비도핑 반도체층(140), 활성층(150) 및 p형 반도체층(160)을 순차적으로 적층하여 반도체층을 형성하는 단계;b) 상기 적층된 반도체층의 일측은 활성층(150) 및 p형 반도체층(160)을 일정 폭으로 식각하여 n형 반도체층(130)까지 노출된 메사 식각면(200)을 형성하고, 타측은 상기 활성층(150) 및 p형 반도체층(160)을 일정 폭으로 식각하여 도핑되지 않은 비도핑 반도체층(140)까지 노출된 수직 전극면(210)을 형성하는 단계;c) 상기 a)단계에서 형성된 p형 반도체층(160)의 상면과, 상기 b)단계에서 형성된 수직 전극면(210)에 각각 수평 방향과 수직 방향으로 정공(홀)이 주입되도록 수직 전극부(171)를 갖는 투명 전극층(170)을 형성하는 단계; 및d) 상기 투명 전극층(170)의 상부와 식각을 통해 노출된 n형 반도체층(130)의 상부에 각각 p형 전극(180)과 n형 전극(181)을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,e) 상기 b)단계는 노출된 비도핑 반도체층(140) 상에 절연층(190)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 a)단계의 활성층(150)은 다양자 우물구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 c)단계의 수직 전극부(171)는 터널링을 통해 활성층(150)의 측면에서 홀이 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.