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(a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판(100) 상에 제1Ⅲ족 질화물층(200)을 형성하는 단계;(b) 상기 제1Ⅲ족 질화물층(200) 상에 복수개의 캐비티(320)가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층(300)을 형성하는 단계;(c) 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 면을 에칭하는 단계; (d) 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300) 상에 제3Ⅲ족 질화물층(500)을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500)이 성장함으로써, 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자가 형성되는 단계; 를 포함하되,상기 (d) 단계에서, 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500) 증착 시, 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 좌우측 방향의 성장속도 차이에 따라, 적층결함이 발생할 수 있는 상기 캐비티(320)의 방향에 질화물층이 성장하기 전에, 일정한 빈 공간(510)이 발생하면서 제3Ⅲ족 질화물층(500)이 성장하는 것을 특징으로 하며,상기 (e) 단계에서, 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500)의 상기 일정한 빈 공간(510)이 채워지면서 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 적층결함이 제거되는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는,(b-1) 상기 제1Ⅲ족 질화물층(200) 상에 패턴화된 마스크층(310)을 형성하는 단계; 및(b-2) 상기 마스크층(310) 상에 Ⅲ족 질화물 층을 측면 성장시키는 단계; 를 포함하되, 상기 (b-2) 단계에서,윈도우 영역으로부터 우측면으로 연장된 질화물 과성장 층과, 인접하는 윈도우영역으로부터 좌측면으로 연장된 질화물 과성장 층이 합쳐지고, 합쳐지는 경계의 하측에 상기 캐비티(320)를 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 캐비티(320)는, 마스크 패턴을 따라 연속적으로 형성되어 터널 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 마스크층(310)은,(1-100) 면지수 방향으로 패턴화된 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에,상기 제2Ⅲ족 질화물층(300) 표면에 보호막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판(100)은,m-면 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1Ⅲ족 질화물층(200)은,(11-22)면지수 방향의 반극성 층인 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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(a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판(100) 상에 복수개의 캐비티(320)가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층(300)을 형성하는 단계; (b) 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 면을 에칭하는 단계; (c) 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300) 상에 제3Ⅲ족 질화물층(500)을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500)이 성장함으로써, 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자가 형성되는 단계; 를 포함하며,상기 (c) 단계에서, 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500) 증착 시, 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 좌우측 방향의 성장속도 차이에 따라, 적층결함이 발생할 수 있는 상기 캐비티(320)의 방향에 질화물층이 성장하기 전에, 일정한 빈 공간(510)이 발생하면서 제3Ⅲ족 질화물층(500)이 성장하는 것을 특징으로 하며,상기 (d) 단계에서, 상기 제3Ⅲ족 질화물층(500)의 상기 일정한 빈 공간(510)이 채워지면서 상기 제2Ⅲ족 질화물층(300)의 내부에 형성된 캐비티(320)의 적층결함이 제거되는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 (a) 단계는,(a-1) 상기 기판(100) 상에 패턴화된 마스크층(310)을 형성하는 단계; 및(a-2) 상기 마스크층(310) 상에 Ⅲ족 질화물 층을 측면 성장시키는 단계; 를 포함하되, 상기 (a-2) 단계에서,윈도우 영역으로부터 우측면으로 연장된 질화물 과성장 층과, 인접하는 윈도우영역으로부터 좌측면으로 연장된 질화물 과성장 층이 합쳐지고, 합쳐지는 경계의 하측에 상기 캐비티(320)를 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 캐비티(320)는, 마스크 패턴을 따라 연속적으로 형성되어 터널 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 마스크층(310)은,(1-100) 면지수 방향으로 패턴화된 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 (b) 단계 이전에,상기 제2Ⅲ족 질화물층(300) 표면에 보호막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 기판(100)은,m-면 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 반분극 질화물 소자의 제조방법
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