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III-V족 화합물층 표면에 금속 박막을 증착하는 단계;에칭 용액을 이용하여, 상기 금속 박막 하부의 III-V족 화합물층을 습식 식각(wet etching)함으로써, 나노구조를 형성하는 단계; 및상기 금속 박막을 제거하고, 형성된 나노구조를 수소화 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물층은 InGaAlP, AlGaAs 및 InGaAs를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 금(Au) 박막 또는 백금(Pt) 박막인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 에칭 용액은 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합용액; 과망간산칼륨(KMnO4) 및 황산(H2SO4)의 혼합용액; 또는 과망간산칼륨(KMnO4) 및 불화수소(HF)의 혼합용액;인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물의 V족 화합물이 인(P)이고, 상기 금속 박막은 백금(Pt) 박막이며, 상기 에칭 용액은 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 III-V족 화합물의 V족 화합물이 비소(As)이고, 상기 금속 박막은 백금(Pt) 박막이며, 상기 에칭 용액은 과망간산칼륨(KMnO4) 및 황산(H2SO4)의 혼합용액, 또는 과망간산칼륨(KMnO4) 및 불화수소(HF)의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 습식 식각은 20 내지 50℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층의 제조방법
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최소한 일면이 나노구조를 갖는 III-V족 화합물층인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층
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제9항에 있어서, 상기 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층은 기판 및 윈도우층을 포함하는 광소자의 윈도우층인 것을 특징으로 하는 무반사 표면조직화된 III-V족 화합물층
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