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유연한 선재;상기 선재의 외주면에 형성된 다층구조;를 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 선재가 길이방향으로 연장되며, 상기 길이방향을 따라 형성되는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 선재가 길이방향으로 연장되며, 상기 길이방향으로 간격을 가지며 연속하여 형성되는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 선재가 광섬유인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 선재의 외주면의 일부면상에 연속하여 형성된 적층구조;를 포함하는 발광다이오드
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제5항에 있어서, 상기 일부면의 반대면이 투명한 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제5항에 있어서,상기 일부면의 반대면이 반사면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제5항에 있어서,상기 일부면의 반대면이 흡수면인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 다층이상기 선재 표면에 벌크층으로 이루어진 질화갈륨 반도체층;과 상기 질화갈륨 반도체층 상에 적층된 다층의 질화갈륨계 박막;을 포함하며,상기 다층의 질화갈륨계 박막이 p형층, 활성층, n형층을 포함하며, 상기 p형층과 n형층에 각각 형성되는 n형 및 p형의 금속전극을 포함하며,상기 질화갈륨 반도체층, 질화갈륨계 박막과 금속전극이 선재의 길이방향으로 연속하여 연장되는 발광다이오드
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지름방향에 직각인 길이방향으로 연장되는 발광소자용 모재인 유연한 선재가 휘어져 탑재되는 성장용 지그
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제10항에 있어서,상기 모재가 나선형으로 탑재되는 것을 특징으로 하는 성장용 지그
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제10항에 있어서,상기 모재가 원형으로 탑재되는 것을 특징으로 하는 성장용 지그
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길이방향으로 길이가 연장되는 발광소자용 모재인 유연한 선재가 휘어져 탑재되는 성장용 지그를 포함하는 증착장치
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14
길이방향으로 길이가 연장되는 발광다이오드용 모재인 유연한 선재를 준비하는 단계;상기 모재를 휘어서 증착장치 내에 위치시키는 단계;상기 증착장치 내에서 다층막을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 다층막을 형성하는 단계는,상기 모재 표면상에 수소화합물 기상증착성장법을 통해 갈륨 나이트라이드 벌크층을 형성시켜 이루어진 질화갈륨 반도체층이 형성되는 단계;상기 질화갈륨 반도체층 상에 유기금속화합물 기상증착성장법을 통해 다층의 질화갈륨계 박막이 적층형성되는 단계;상기 질화갈륨 반도체층 하부와 상기 다층의 질화갈륨계 박막층 상단에 n형 및 p형의 금속전극이 각각 형성되는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 다층의 질화갈륨계 박막은 n형 GaN 완충층, n형 AlXGaXN층, InXGaXN층, p형 AlXGaXN층 및 p형 GaN층이 적층형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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종방향으로 길이가 연장되는 발광다이오드용 모재인 유연한 투명선재를 준비하는 단계;상기 모재를 휘어서 증착장치 내에 위치시키는 단계;상기 증착장치 내에서 다층막을 형성하는 단계;를 포함하는 제조방법으로 만들어진 발광다이오드
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