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제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계; 및상기 구조물 상에 금속을 함유하는 그래핀 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 그래핀 전극층을 형성하는 단계는 상기 구조물 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계, 상기 그래핀 박막의 표면에 상기 금속을 함유하는 도금층을 형성하는 단계를 구비하고,적어도 상기 금속은 상기 그래핀 전극층의 표면 중 적어도 상기 구조물과 접하는 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층을 형성하는 단계는 상기 도금층을 형성하는 단계를 진행한 후에 열처리 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 열처리 단계는 300℃ 내지 700℃의 온도에서 진행하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 도금층을 형성하는 단계는 전해 도금법을 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층에 함유된 금속은 Ni, Pt, Au, Cu, Pd, Rh, Cr, Ti, Al 및 Ag 중 하나 이상을 함유하거나, Ni, Pt, Au, Cu, Pd, Rh, Cr, Ti, Al 및 Ag 중 적어도 두 개 이상의 합금을 함유하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층은 상기 금속을 함유하는 층상 구조 형태를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층은 상기 금속의 나노 입자를 함유하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층의 상기 금속은 상기 그래핀 전극층 내부에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 전극층의 상기 금속은 상기 그래핀 전극층의 표면에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 질화물계 반도체층은 n형 3족 질화물계 반도체 물질을 함유하고, 상기 제2 질화물계 반도체층은 p형 3족 질화물계 반도체 물질을 함유하고, 상기 그래핀 전극층은 상기 제2 질화물계 반도체층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 구조물은 기판상에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
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제1 항 내지 제11항 중 어느 하나의 항의 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드
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