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실리콘(Si) 웨이퍼 또는 실리콘 신호취득회로 상에 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법으로 이산화 규소(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 옥시니트라이드(SiON) 중 어느 하나로 절연층을 증착하는 제1 공정, 상기 절연층 상에 스퍼터링 증착법으로 제1 산화바나듐(VOx)층을 증착하는 제2 공정, 상기 제2 공정과 동일 챔버에서 상기 제1 산화바나듐(VOx)층 상에 타겟을 산화아연(ZnO), n형 ZnO, p형 ZnO 중 어느 하나로 산화아연(ZnO)층을 증착하는 제3 공정, 상기 제1 공정과 동일 조건에서 상기 산화아연(ZnO)층 상에 제2 산화바나듐(VOx)층을 증착하는 제4 공정 및 상기 제2,3,4 공정에서 증착한 제1 산화바나듐층/산화아연층/제2 산화바나듐층의 다층 박막에 일정 온도범위의 열처리를 수행하는 제5 공정을 포함하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 공정은 제1 산화바나듐층을 30 ~ 100 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제3 공정은 산화아연층을 10 ~ 30 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제4 공정은 제2 산화바나듐층을 10 ~ 20 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제5 공정은 250℃ 이상 ~ 300℃ 이하의 온도범위에서 20 ~ 50분 동안 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2,3,4 공정은 이온 빔 응용 증착(ion-beam assisted deposition) 또는 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 중 어느 하나로 증착하는 것을 더 포함하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 증착법 사용시 타겟은 n형 ZnO에 불순물인 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al)중 적어도 하나를 첨가하거나, p형 ZnO에 불순물인 비소(As), 인(P), 베릴륨(Be)중 적어도 하나를 첨가하여 사용하는 것을 더 포함하는 마이크로 볼로미터용 고온도저항계수 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리 수행시 산소분위기에서 산소가스를 1
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