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부도체 기판(110);상기 부도체 기판(110)의 일측면에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 제 1 반도체층(120)과, 제 1 활성층(130)과, 제 3 반도체층(140)을 형성하고 일정 파장의 빛을 발광하는 제 1 에피 구조부(111);상기 부도체 기판(110)의 타측면에 래핑 및 폴리싱을 수행한 다음 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 제 2 반도체층(121)과, 제 2 활성층(131)과, 제 4 반도체층(141)을 형성하고, 상기 제 1 에피 구조부(111)와 동일한 파장 또는 다른 파장의 빛을 발광하는 제 2 에피 구조부(112);상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 1 및 제 3 반도체층(120, 140)에 형성한 제 1 전극(150)과 제 3 전극(160);상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 2 및 제 4 반도체층(121, 141)에 형성한 제 2 전극(151)과 제 4 전극(161);상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 설치되는 서브 마운트 기판(180);상기 서브 마운트 기판(180)에 임의의 도전 패턴을 형성하며 설치한 제 1 및 제 2 리드부(190, 191);상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 설치되어 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하방향으로 입사되는 빛을 상방향으로 반사시키는 반사막(170);상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 2 전극(151)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190)를 전기적으로 연결하는 제 1 본딩부(200);상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 4 전극(161)을 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191)와 전기적으로 연결하는 제 2 본딩부(210);상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 1 전극(150)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191) 중 어느 하나와 전기적으로 연결하여 다이오드 회로가 형성되도록 하는 제 1 와이어(220); 및상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 3 전극(160)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190) 중 어느 하나와 전기적으로 연결하여 다이오드 회로가 형성되도록 하는 제 2 와이어(230)를 포함하는 발광 다이오드 장치
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전도성 기판(110');상기 전도성 기판(110')의 일측면에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 제 1 반도체층(120)과, 제 1 활성층(130)과, 제 3 반도체층(140)을 형성하고, 일정 파장의 빛을 발광하는 제 1 에피 구조부(111);상기 전도성 기판(110')의 타측면에 래핑 및 폴리싱을 수행한 다음 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 제 2 반도체층(121)과, 제 2 활성층(131)과, 제 4 반도체층(141)을 형성하고, 상기 제 1 에피 구조부(111)와 동일한 파장 또는 다른 파장의 빛을 발광하는 제 2 에피 구조부(112);상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 3 반도체층(140)에 형성한 제 1 전극(150)상기 전도성 기판(110')에 형성한 제 3 전극(160); 상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 4 반도체층(141)에 형성한 제 2 전극(151);상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 설치되는 서브 마운트 기판(180);상기 서브 마운트 기판(180)에 임의의 도전 패턴을 형성하며 설치한 제 1 및 제 2 리드부(190, 191);상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 설치되어 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하방향으로 입사되는 빛을 상방향으로 반사시키는 반사막(170);상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 2 전극(151)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190)를 전기적으로 연결하는 제 1 본딩부(200);상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 1 전극(150)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191) 중 어느 하나와 전기적으로 연결하여 다이오드 회로가 형성되도록 하는 제 1 와이어(220); 및상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 3 전극(160)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190) 중 어느 하나와 전기적으로 연결하여 다이오드 회로가 형성되도록 하는 제 2 와이어(230)를 포함하는 발광 다이오드 장치
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 반도체층(120)과 제 2 반도체층(121)은 N형 반도체층이고, 상기 제 3 반도체층(140)과 제 4 반도체층(141)은 P형 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 장치
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발광 다이오드 제조 방법으로서,a) 부도체 기판(110)의 일측면에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 제 1 반도체층(120)과, 제 1 활성층(130)과, 제 3 반도체층(140)을 포함한 제 1 에피 구조부(111)를 성장시키는 단계;b) 상기 제 1 에피 구조부(111)의 성장이 완료되면, 기판의 두께와 편평도를 유지하기 위해 상기 부도체 기판(110)의 타측면을 일정 두께로 갈아내고, 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing)한 다음 상기 성장된 제 1 에피 구조부(111)가 열화되는 것을 방지하도록 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 제 2 반도체층(121)과, 제 2 활성층(131)과, 제 4 반도체층(141)을 포함한 제 2 에피 구조부(112)를 성장시키는 단계;c) 상기 제 3 반도체층(140)에 제 1 전극(150)을 형성하고, 상기 제 3 반도체층(140)에서 제 1 반도체층(120)까지 식각하여 상기 식각된 제 1 반도체층(120)에 제 3 전극(160)을 형성하는 단계;d) 상기 제 4 반도체층(141)에 제 2 전극(151)과 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하방향으로 입사되는 빛을 상방향으로 반사시키는 반사막(170)을 형성하고, 상기 제 4 반도체층(141)에서 제 2 반도체층(121)까지 식각하여 상기 식각된 제 2 반도체층(121)에 제 4 전극(161)을 형성하는 단계;e) 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 제 1 리드부(190)와 제 2 리드부(191)가 설치된 서브 마운트 기판(180)을 설치하고, 상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 2 전극(151)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190)를 제 1 본딩부(200)로 연결하며, 상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 4 전극(161)을 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191)를 제 2 본딩부(210)로 연결하는 단계; 및f) 상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 1 전극(150)을 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191) 중 어느 하나와 제 1 와이어(22)로 연결하고, 상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 3 전극(160)을 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190) 중 어느 하나와 제 2 와이어(230)로 연결하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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발광 다이오드 제조 방법으로서,i) 전도성 기판(110')의 일측면에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 제 1 반도체층(120)과, 제 1 활성층(130)과, 제 3 반도체층(140)을 포함한 제 1 에피 구조부(111)를 성장시키는 단계;ii) 상기 제 1 에피 구조부(111)의 성장이 완료되면, 기판의 두께와 편평도를 유지하기 위해 상기 전도성 기판(110')의 타측면을 일정 두께로 갈아내고, 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing)한 다음 상기 성장된 제 1 에피 구조부(111)가 열화되는 것을 방지하도록 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 제 2 반도체층(121)과, 제 2 활성층(131)과, 제 4 반도체층(141)을 포함한 제 2 에피 구조부(112)를 성장시키는 단계;iii) 상기 제 3 반도체층(140)에 제 1 전극(150)을 형성하고, 상기 제 3 반도체층(140)에서 전도성 기판(110')까지 식각하여 상기 식각된 전도성 기판(110')에 제 3 전극(160)을 형성하는 단계;iv) 상기 제 4 반도체층(141)에 제 2 전극(151)과 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하방향으로 입사되는 빛을 상방향으로 반사시키는 반사막(170)을 형성하는 단계;v) 상기 제 2 에피 구조부(112)의 하부에 제 1 리드부(190)와 제 2 리드부(191)가 설치된 서브 마운트 기판(180)을 설치하고, 상기 제 2 에피 구조부(112)의 제 2 전극(151)과, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190)를 제 1 본딩부(200)로 연결하는 단계; 및vi) 상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 1 전극(150)을 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191) 중 어느 하나와 제 1 와이어(22)로 연결하고, 상기 제 1 에피 구조부(111)의 제 3 전극(160)을 서브 마운트 기판(180)의 제 2 리드부(191), 외부 전원단자, 서브 마운트 기판(180)의 제 1 리드부(190) 중 어느 하나와 제 2 와이어(230)로 연결하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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