| 1 |
1
복수 개의 발광 다이오드 셀; 및상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 서로 인접한 발광 다이오드 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 브릿지를 포함하고,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 각각은,제1 질화물계 반도체층, 상기 제1 질화물계 반도체층의 상부에 배치되는 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 구비하는 구조물; 상기 구조물의 하부로부터 연장되어 상기 제2 질화물계 반도체층과 접촉하고, 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되는 제2 도전성 콘택부; 및상기 제1 질화물계 반도체층과 접하고, 상기 제2 도전성 콘택부와 이격되도록 형성된 제1 도전성 콘택부를 포함하고,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀은 도전 기판 상에 형성되고,상기 도전 기판과 상기 발광 다이오드 셀의 사이에 도전성 재료로 형성된 본딩층을 더 포함하고,상기 본딩층은 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 가장자리의 발광 다이오드 셀 중 하나의 셀의 제2 도전성 콘택부와 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다는 발광 다이오드 장치
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 도전성 브릿지는 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 일 발광 다이오드 셀의 제1 도전성 콘택부 및 상기 일 발광 다이오드 셀과 인접한 일 발광 다이오드 셀의 제2 도전성 도전성 콘택부를 전기적으로 연결하는 발광 다이오드 장치
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀은 도전 기판 상에 형성되고,상기 도전성 브릿지는 상기 도전 기판과 상기 제1 질화물계 반도체층, 상기 제2 질화물계 반도체층 및 활성층을 구비하는 구조물의 사이에 형성된 발광 다이오드 장치
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀은 도전 기판 상에 형성되고,상기 제2 도전성 콘택부는 상기 제1 질화물계 반도체층, 상기 제2 질화물계 반도체층 및 활성층을 구비하는 구조물을 벗어나지 않고 상기 구조물과 상기 기판 사이에 형성되는 발광 다이오드 장치
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 제2 도전성 콘택부는 가장자리와 이격된 소정의 영역에 홀을 갖도록 형성되고,상기 제1 도전성 콘택부는 상기 제2 도전성 콘택부의 홀을 관통하도록 형성되는 발광 다이오드 장치
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,적어도 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층을 관통하도록 배치된 제1 절연층을 더 포함하고,상기 제1 도전성 콘택부는 상기 제1 절연층을 통하여 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되면서 제1 질화물계 반도체층 및 활성층을 관통하도록 형성되는 발광 다이오드 장치
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제1 절연층은 상기 제1 도전성 콘택부와 상기 도전성 브릿지의 사이에 배치되는 발광 다이오드 장치
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 가장자리에 배치된 일 발광 다이오드 셀의 제1 도전성 콘택부와 연결되도록 형성된 전극 패드부를 더 포함하는 발광 다이오드 장치
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 활성층을 구비하는 구조물의 측면을 보호하도록 형성된 측면 보호부를 더 포함하는 발광 다이오드 장치
|
| 11 |
11
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 적어도 하나의 발광 다이오드 셀은 복수 개의 제2 도전성 콘택부를 구비하고,상기 적어도 하나의 발광 다이오드 셀에 구비된 복수 개의 제2 도전성 콘택부는 연결 부재에 의하여 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 장치
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서,상기 연결 부재는 상기 제1 도전성 콘택부와 절연되는 발광 다이오드 장치
|
| 13 |
13
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 발광 다이오드 셀은 직렬로 연결되는 발광 다이오드 장치
|
| 14 |
14
제1 항에 있어서,상기 제1 도전성 콘택부는 반사면을 형성하는 발광 다이오드 장치
|
