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(a) Si 기판(20) 상에 절연층(100)을 증착하는 공정;(b) 상기 절연층(100) 상에 산화바나듐(VOx) 및 산화아연(ZnO)을 교번하여 다층 박막을 증착하는 공정; 및(c) 증착된 다층 박막에 열처리를 수행하는 공정; 을 포함하는 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (b) 공정은, (b-1) 상기 절연층(100) 상에 제 1 산화바나듐(VOx)층(200)을 증착하는 단계;(b-2) 상기 (b-1) 단계에서와 동일 챔버(10)에서 불순물이 첨가되지 않은(undoped) ZnO, 불순물이 첨가되는 n형 ZnO 및 p형 ZnO 중, 어느 하나의 ZnO 타겟을 이용하여 제 1 산화아연(ZnO)층(300)을 증착하는 단계; (b-3) 상기 제 1 산화바나듐층(200)과 동일 조건에서 제 2 산화바나듐층(400)을 증착하는 단계;(b-4) 상기 제 1 산화아연(ZnO)층(300)과 동일 조건에서 제 2 산화아연(ZnO)층(500)을 증착하는 단계; 및(b-5) 상기 제 2 산화바나듐층(400)과 동일 조건에서 제 3 산화바나듐층(600)을 증착하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (b) 공정은, 분자선 증착법(molecular beam epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 증착법, 이온 빔 보조 증착(ion-beam assisted deposition)법, 전자빔(e-beam) 증착법 중, 어느 하나의 방법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 (b-2) 단계에서,불순물이 첨가되는 n형 ZnO을 ZnO 타겟을 이용할 경우, 상기 불순물은 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 중 어느 하나이거나, 이들의 화합물인 것을 특징으로 하며, 불순물이 첨가되는 P형 ZnO을 ZnO 타겟을 이용할 경우, 상기 불순물은 비소(As), 인(P), 베릴륨(Be) 중 어느 하나이거나, 이들의 화합물인 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (c) 공정에서, 열처리는 산소분위기에서 온도범위 250 ~ 300oC, 열처리 시간은 20~ 50분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 볼로미터용 적외선 감지 박막 제조방법
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