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n형 도전성을 가지는 n형 3족 질화물 반도체층;상기 n형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 접속되도록 구비되며, n측 본딩패드로 구비되는 n측 전극;p형 도전성을 가지는 p형 3족 질화물 반도체층; 및상기 p형 3족 질화물 반도체층에 전기적으로 접속되도록 구비되며, p측 본딩패드를 포함하는 p측 전극;을 포함하며,상기 n측 전극과 p측 본딩패드 중 적어도 하나는 상면에 Al, Ag, Pt 및 Ni, 이들 중 선택된 적어도 둘 이상의 합금 중 적어도 하나를 포함하는 반사층;으로서,외부로부터 상기 n측 전극과 p측 본딩패드 중 어느 하나의 상면을 향하여 조사되는 빛을 반사시키는 반사층;을 가지는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 n측 전극과 상기 p측 본딩패드는, 각각 상기 n형 3족 질화물 반도체층과 상기 p형 3족 질화물 반도체층의 상면에 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 p측 전극은,상기 p형 3족 질화물 반도체층의 상면 일 측에 구비되는 p측 본딩패드; 및상기 p측 본딩패드로부터 뻗어나오는 p측 가지전극;으로서, 상기 p형 3족 질화물 반도체층의 위에 구비되는 p측 가지전극;을 포함하며,상기 반사층은 상기 p측 가지전극의 상면에 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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청구항 3에 있어서,상기 p측 가지전극은 상기 p측 본딩패드와 설정된 간격만큼 떨어져 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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청구항 3에 있어서,상기 반사층은 상기 p측 본딩패드 및 상기 p측 가지전극의 상면에 구비되며,상기 p측 본딩패드는 상면에 상기 반사층이 구비되지 않으며 Au로 구비되는 본딩영역;을 가지는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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6
청구항 1에 있어서,상기 n측 전극과 상기 p측 본딩패드 중 적어도 하나는, 상면에 반사층이 제거되어 Au가 노출된 본딩영역;을 가지는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 청구항에 있어서,상기 반사층은 적어도 10nm이상의 두께로 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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8
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 청구항에 있어서,상기 반사층은 30nm이상의 두께로 구비되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
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