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사파이어 기판 상에 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 제1형 반도체층 상에 제1형 전극을 형성하고, 상기 제1형 전극 상에 지지기판을 형성하는 단계; 상기 사파이어 기판을 제거하고, 상기 노출된 제2형 반도체층 상에 제1 요철구조를 형성하는 단계; 및 상기 제1 요철구조상에 제2 요철구조를 형성하고, 상기 제2 요철구조 상에 제2형 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는, 유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 건식식각 방법으로 일정한 패턴을 갖도록 형성하고, 상기 제2 요철구조는, 화학용액을 이용한 식각 방법으로 랜덤 패턴을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는, 크기가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는, 원통형, 반구형(렌즈형), 완만한 굴곡을 가지는 6 ~ 8개의 볼록하게 돌출된 부분을 포함하는 망고스틴(mangosteen) 또는 4 ~ 6개의 볼록하게 돌출된 부분을 포함하는 국화꽃 형상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 요철 구조는,벌집 모양(honeycombed) 또는 일렬로 주기적 배열하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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6
사파이어 기판 상에 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체를 순차적으로 형성시키는 단계;상기 질화물 반도체의 일부를 상기 제2형 반도체층의 일부가 노출되도록 식각하는 단계;상기 제1형 반도체층 상에 제1형 전극을 형성하고, 일부가 노출된 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층의 일부 및 제1형 전극 상에 보호막을 증착하는 단계; 상기 보호막 상에 노출된 제2형 반도체층에 접촉되도록 제2형 전극을 증착하고, 지지기판을 접합하는 단계; 상기 사파이어 기판을 제거하고, 상기 노출된 제2형 반도체층 상에 제1 요철구조를 형성하는 단계; 및 상기 제1 요철구조상에 제2 요철구조를 형성하고, 상기 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층의 가장자리를 상기 제1형 전극의 경계까지 식각한 후 제1형 전극패드를 형성하는 단계; 를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는, 유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 건식식각 방법으로 일정한 패턴을 갖도록 형성하고, 상기 제2 요철구조는, 화학용액을 이용한 식각 방법으로 랜덤 패턴을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는, 크기가 0
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제 6 항에 있어서, 상기 제1 요철구조는 원통형, 반구형(렌즈형), 완만한 굴곡을 가지는 6 ~ 8개의 볼록하게 돌출된 부분을 포함하는 망고스틴(mangosteen) 또는 4 ~ 6개의 볼록하게 돌출된 부분을 포함하는 국화꽃 형상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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10
제 6 항에 있어서, 상기 제1 요철 구조는, 벌집 모양(honeycombed) 또는 일렬로 주기적 배열하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광다이오드 제조 방법에 의해 제조된 발광다이오드
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