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상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서,복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계;상기 분산액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하는 단계;상기 원심 분리 공정을 거친 분산액을 기판에 대하여 성막하는 단계;상기 성막 단계를 진행하여 형성된 막의 표면에 대하여 활성화 공정을 진행하는 단계;적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계;상기 활성화를 진행한 기판을 상기 도금액에 넣어 도금 공정을 진행하는 단계; 및 상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 도금액의 금속은 Ni, Pt, Au, Cu, Pd, Rh, Cr, Ti, Al 및 Ag 중 하나 이상이거나, 둘 이상의 합금 형태를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 도금 공정을 통하여 상기 탄소 나노 튜브의 표면에 상기 금속을 함유하는 복수의 금속 입자가 부착되는 것을 특징으로 하고,상기 복수의 금속 입자는 적어도 상기 탄소 나노 튜브 중 일 탄소 나노 튜브 및 이와 인접한 다른 탄소 나노 튜브의 사이에 상기 일 탄소 나노 튜브 및 이와 인접한 다른 탄소 나노 튜브에 접하도록 형성된 금속 입자를 구비하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 분산액을 제조하는 단계는,상기 탄소 나노 튜브 및 분산재를 물에 넣고 나서 초음파 분산 처리를 수행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판에 성막하는 단계는 스프레이 코팅법을 이용하여 진행하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 활성화 공정은 염화주석 및 염화 팔라듐 용액을 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 도금액은 무전해 도금 용액인 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 후처리 공정은 세정 공정 또는 산을 이용한 표면 처리를 더 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서,복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계;적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계;상기 도금액에 대하여 활성화 공정을 진행하여 금속 콜로이드 용액을 제조하는 단계;상기 금속 콜로이드 용액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하여 금속 입자를 분리하는 단계;상기 분리된 금속 입자를 상기 분산액에 넣는 단계;상기 금속 입자가 들어간 분산액을 상기 기판에 대하여 성막하는 단계; 및상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 도금액의 금속은 Ni, Pt, Au, Cu, Pd, Rh, Cr, Ti, Al 및 Ag 중 하나 이상이거나, 둘 이상의 합금 형태를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 성막 단계를 거친 후 상기 기판상의 상기 탄소 나노 튜브의 표면에는 상기 금속을 함유하는 복수의 금속 입자가 부착되어 있는 것을 특징으로 하고,상기 복수의 금속 입자는 적어도 상기 탄소 나노 튜브 중 일 탄소 나노 튜브 및 이와 인접한 다른 탄소 나노 튜브의 사이에 상기 일 탄소 나노 튜브 및 이와 인접한 다른 탄소 나노 튜브에 접하도록 형성된 금속 입자를 구비하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 분산액을 제조하는 단계는,상기 탄소 나노 튜브 및 분산재를 물에 넣고 나서 초음파 분산 처리를 수행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 기판에 성막하는 단계는 스프레이 코팅법을 이용하여 진행하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 활성화 공정은 염화주석 및 염화 팔라듐 용액을 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 분리된 금속 입자를 상기 분산액에 넣는 단계는 초음파 처리 공정을 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 후처리 공정은 세정 공정 또는 산을 이용한 표면 처리를 더 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법
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제1 항 내지 제16 항 중 어느 하나의 제조 방법으로 형성된 탄소 나노 튜브 도전층
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