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기판;상기 기판상에 형성된 제1형 반도체층;상기 제1형 반도체층의 면 중 상기 기판을 향하는 면의 반대면상에 형성되는 제2형 반도체층; 및상기 기판과 상기 제1형 반도체층의 사이에 배치되고 갈륨 비소(GaAs)계열 물질을 함유하는 전류 억제층을 포함하고, 상기 전류 억제층을 중심으로 상기 제1형 반도체층 및 제2 형 반도체층과 전기적으로 구별되도록 상기 전류 억제층의 하부에 광을 전기적 신호로 변환하는 하나 이상의 구조를 더 포함하는 광전 변환 소자
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제1 항에 있어서,상기 전류 억제층은 상기 갈륨 비소 계열 물질에 Fe가 도핑된 광전 변환 소자
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제1 항에 있어서,상기 전류 억제층과 접하도록 배치되고 갈륨 비소 계열 물질을 함유하는 버퍼층을 더 포함하는 광전 변환 소자
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제1 항에 있어서,상기 기판의 면 중 상기 전류 억제층을 향하는 면의 반대면에 형성되고 서로 다른 불순물을 함유하는 제1 도핑부 및 제2 도핑부를 더 포함하는 광전 변환 소자
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제1 항에 있어서,상기 기판은 제1형 반도체 물질 기판이고, 상기 기판의 면 중 상기 전류 억제층을 향하는 면의 반대면에 접하도록 형성되고 상기 기판과 다른 제2형 반도체 물질을 함유하는 인접 반도체층을 더 포함하는 광전 변환 소자
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제1 항에 있어서,상기 광전 변환 소자는 서로 이격된 복수 개의 상기 전류 억제층을 구비하고, 상기 제1형 반도체층 및 제2 형 반도체층외에 추가적으로 복수 개의 광을 전기적으로 변환하는 구조를 포함하고,상기 제1형 반도체층 및 제2 형 반도체층 및 상기 복수 개의 광을 전기적으로 변환하는 구조는 상기 복수 개의 전류 억제층에 의하여 분리되고 전기적으로 구별되는 광전 변환 소자
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베이스 기판상에 형성된 복수 개의 모듈을 포함하는 광전 변환 소자에 관한 것으로서,상기 복수 개의 모듈들은 각각,상기 베이스 기판상에 형성된 제1형 반도체층;상기 제1형 반도체층의 면 중 상기 베이스 기판을 향하는 면의 반대면상에 형성되는 제2형 반도체층; 및상기 베이스 기판과 상기 제1형 반도체층의 사이에 배치되고 갈륨 비소(GaAs)계열 물질을 함유하는 전류 억제층을 포함하고, 상기 복수 개의 모듈들은 각각,상기 전류 억제층을 중심으로 상기 제1형 반도체층 및 제2 형 반도체층과 전기적으로 구별되도록 상기 전류 억제층과 상기 베이스 기판의 사이에 배치되고, 광을 전기적 신호로 변환하는 하나 이상의 구조를 더 포함하는 광전 변환 소자
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제8 항에 있어서,상기 복수 개의 모듈들 각각의 상기 제1형 반도체층 및 제2형 반도체층의 적층 구조들은 각 모듈별로 직렬로 연결된 광전 변환 소자
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