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박막형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015200664
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 위에 다수의 박막층을 증착 형성하여 발생할 수 있는 열적 또는 결정격자의 불일치에 기인한 변형을 최소화할 수 있는 박막형 태양전지에 관한 것으로, 기판(110)과, 상기 기판(110) 일면에 형성되는 배면전극(120)과, 상기 배면전극(120) 상부에 다수의 박막이 셀렌화 공정을 통해 제작되는 CIS계 박막형 태양전지에 있어서, 상기 기판(110)은 상기 배면전극(120)의 반대 면에 형성된 변형보상 박막층(200)을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020130154980 (2013.12.12)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1504318-0000 (2015.03.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고항주 대한민국 광주 북구
2 한명수 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-1140420-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.08.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0073407-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0814044-46
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0048503-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048502-32
7 등록결정서
Decision to grant
2015.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0169284-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과, 상기 기판 일면에 형성되는 배면전극과, 상기 배면전극의 일면 상부에 다수의 박막이 셀렌화 공정을 통해 제작되는 CIS계 박막형 태양전지에 있어서,상기 기판은 상기 배면전극의 반대 면에 형성된 변형보상 박막층과, 기판과 배면전극 사이에 버퍼층을 포함하며,상기 배면전극은 Mo이며, 상기 버퍼층은 Ni인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 변형보상 박막층은, 상기 배면전극과 동종의 재료가 사용되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 변형보상 박막층은, 상기 배면전극의 두께와 적어도 같거나 두꺼운 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판과 배면전극 사이에는 버퍼층을 더 포함하는 박막형 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 Cu인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.