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발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200668
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 금속소재로 된 방열판과, 방열판의 상면에 접합되며 구동용 제1 및 제2 전극이 상방으로 노출되게 형성된 발광다이오드와, 발광다이오드로부터 이격되어 방열판에 접합되며 상면에 발광다이오드의 제1 및 제2 전극과 전기적으로 접속되는 제1 및 제2 도전패턴이 형성된 회로기판과, 제1 및 제2 도전패턴이 노출되게 회로기판 상면에서 상방으로 돌출되게 형성되어 발광다이오드를 에워싸는 수용공간을 형성하는 댐부와, 발광다이오드 상면에 형광체로 도포된 형광체층과, 형광체층을 덮도록 댐부 내의 수용공간에 봉지재로 충진된 봉지층과, 제1 및 제2 전극 각각으로부터 봉지층의 상면까지 도전소재로 형성된 제1 및 제2 수직 배선층과, 회로기판의 제1 및 제2 도전패턴 각각으로부터 봉지층을 수직상으로 관통하여 도전소재로 형성된 제3 및 제4 수직배선층과, 봉지층의 상면에서 제1수직배선층과 제3수직배선층을 상호 연결하며 도전소재로 형성된 제1수평배선층과, 봉지층의 상면에서 제2수직배선층과 제4수직배선층을 상호 연결하며 도전소재로 형성된 제2수평배선층을 구비한다. 이러한 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 봉지층을 관통하는 비아홀을 통해 도전패이스트로 전기적 접속배선을 형성함으로써 발광다이오드의 전력 용량에 관계없이 패키징이 가능하고, 대면적 패키징이 가능한 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/52 (2010.01) H01L 33/62 (2010.01)
CPC H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01)
출원번호/일자 1020140052391 (2014.04.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1519110-0000 (2015.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 사기동 대한민국 광주광역시 광산구
2 김영우 대한민국 광주광역시 광산구
3 백종협 대한민국 대전광역시 서구
4 최창열 대한민국 전라북도 익산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0415463-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0012554-72
4 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0285853-36
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
금속소재로 된 방열판과;상기 방열판의 상면에 접합되며 구동용 제1 및 제2 전극이 상방으로 노출되게 형성된 발광다이오드와;상기 발광다이오드로부터 이격되어 상기 방열판에 접합되며 상면에 상기 발광다이오드의 상기 제1 및 제2 전극과 전기적으로 접속되는 제1 및 제2 도전패턴이 형성된 회로기판과;상기 제1 및 제2 도전패턴이 노출되게 상기 회로기판 상면에서 상방으로 돌출되게 형성되어 상기 발광다이오드를 에워싸는 수용공간을 형성하는 댐부와;상기 발광다이오드 상면에 형광체로 도포된 형광체층과;상기 형광체층을 덮도록 상기 댐부 내의 상기 수용공간에 봉지재로 충진된 봉지층과;상기 제1 및 제2 전극 각각으로부터 상기 봉지층의 상면까지 도전소재로 형성된 제1 및 제2 수직 배선층과;상기 회로기판의 상기 제1 및 제2 도전패턴 각각으로부터 상기 봉지층을 수직상으로 관통하여 도전소재로 형성된 제3 및 제4 수직배선층과;상기 봉지층의 상면에서 상기 제1수직배선층과 상기 제3수직배선층을 상호 연결하며 도전소재로 형성된 제1수평배선층과;상기 봉지층의 상면에서 상기 제2수직배선층과 상기 제4수직배선층을 상호 연결하며 도전소재로 형성된 제2수평배선층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
2 2
제1항에 있어서, 상기 댐부 및 상기 봉지층은 실리콘 소재로 형성되어 있고, 상기 제1 내지 제4 수직배선층과, 상기 제1 및 제2수평배선층은 은(Ag)소재를 함유하는 도전 페이스트에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
3 3
가
4 4
제3항에 있어서, 상기 댐부 및 상기 봉지층은 실리콘 소재로 형성하고, 상기 비아홀은 레이저 광을 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 내지 제4 수직배선층과, 상기 제1 및 제2수평배선층은 은(Ag)소재를 함유하는 도전 페이스트에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.