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화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서,하나 이상의 홀을 포함하고, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 산화물 전극; 상기 산화물 전극의 홀에 충진되면서 산화물 전극 위에 형성되고, 상기 홀을 통해 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 금속 반사막; 및상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항에 있어서, 상기 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항에 있어서, 상기 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항 또는 제 6항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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제 2항 또는 제 8항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 반사막 전극
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n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자에 있어서, 하나 이상의 홀을 포함하고, 상기 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 산화물 전극; 상기 산화물 전극의 홀에 충진되면서 산화물 전극 위에 형성되고, 상기 홀을 통해 p형 화합물 반도체층 상에 오믹 접촉하는 금속 반사막; 및상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되어 광을 반사하는 금속 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항에 있어서, 상기 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항에 있어서, 상기 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항 또는 제 16항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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제 12항 또는 제 18항에 있어서, 상기 산화물 전극 및 금속 반사막 상에 추가로 형성되는 금속 반사막의 상면에 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 반사막 보호 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자
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n형 및 p형 전극과 그 사이에 적어도 n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 순차로 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,상기 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 형성하는 단계;상기 산화물 전극에 홀을 형성하고, 상기 홀에 금속 반사막 재료를 충진하고 열처리하는 단계; 및상기 금속 반사막 재료가 충진된 홀을 구비하는 산화물 전극 위에 금속 반사막 및 반사막 보호 금속층을 순차로 더 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극은 산화 아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 알루미늄(Al2O3), 구리알루미늄 산화물(CuAlO2), 구리갈륨 산화물(CuGaO2) 및 스트론튬구리 산화물(SrCu2O2)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 산화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항 또는 제 22항에 있어서, 상기 산화물 전극의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚으로 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극의 홀의 형상은 원기둥형 또는 다각기둥형인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극의 홀의 크기는 직경이 1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 금속 반사막은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 원소인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 열처리는 진공 또는 질소 분위기 하에서 500℃ 내지 700℃로 10초 내지 5분간 수행하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 산화물 전극 상에 형성되는 금속 반사막의 두께는 1㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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제 21항에 있어서, 상기 반사막 보호 금속층은 금(Au), 백금(Pt), 실리콘(Si), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 원소로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
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