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투광성 기판(substrate);
상기 투광성 기판상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 상기 활성층 및 p형 반도체층이 식각되어 n형 반도체층의 일정영역이 소정 폭을 갖는 형태로 노출되는 발광 구조물;
상기 노출된 n형 반도체층 상에 형성되는 n형 전극;
상기 p형 반도체층상에 형성되고, 빛을 반사하는 반사전극; 및
상기 반사전극 상에 형성되는 p형 전극;
을 구비하는 적어도 하나 이상의 발광 다이오드(Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 있어서,
상기 복수의 발광다이오드의 투광성 기판의 상부에, 형광체와 몰딩재료를 혼합하여 도포하고 마스터(master)를 이용하여 몰딩을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제 3항에 있어서,
상기 몰딩재료는 열 또는 자외선(UV)로 경화가 가능한 에폭시 또는 Si 봉지제인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제 3항에 있어서,
상기 형광체는 야그(Yag)계열 또는 RGB계열의 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제 3항에 있어서, 상기 마스터는,
실리콘 또는 메탈로 형성되는 금형상에 PDMS(PolyDiMethySiloxane)를 도포한 후 경화시켜 형성되고, 마스터의 단면은 복수의 돔(dome), 삼각형 또는 다각형의 형태 중 선택되는 어느 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제 3항에 있어서, 상기 몰딩의 형태는,
상기 투광성 기판상에 소정의 거리로 격리된 복수의 몰딩체를 형성하거나 또는 투광성 기판의 상부를 커버하는 단일한 몰딩체를 형성하거나 또는 상기 복수의 몰딩체 및 단일한 몰딩체를 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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제 7항에 있어서, 상기 복수의 몰딩체는,
그 직경이 5nm 내지 800μm 이고, 몰딩체간 거리가 10nm 내지 900μm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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투광성 기판 상에 버퍼층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 p형 반도체층 및 활성층의 일부영역을 식각하여 n형 반도체층의 상면의 소정영역을 노출시키는 단계;
상기 p형 반도체층상에 반사전극을 형성하는 단계;
상기 반사전극상에 제 2전극을 형성하고, 상기 노출된 n형 반도체층의 상부에 제 1전극을 형성하여 발광다이오드 소자를 형성하는 단계;
적어도 하나이상의 상기 발광다이오드 소자를 포함하는 발광다이오드 패키지에 형광체가 혼합된 몰딩재료를 도포하는 단계; 및
소정의 마스터를 이용한 경화단계;
를 포함하는 웨이퍼 레벨의 발광다이오드 패키지의 몰딩방법
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제 9항에 있어서,
단면이 적어도 하나 이상의 소정의 돔(dome), 삼각형 또는 다각형의 형상을 갖는 마스터의 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 발광다이오드 패키지의 몰딩방법
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제 10항에 있어서, 상기 마스터 형성단계는,
실리콘 또는 메탈(metal)로 형성되는 금형상에 포토레지스트를 이용한 패턴을 형성하는 패터닝 단계; 및
상기 패턴을 따라 PDMS(PolyDiMethySiloxane)를 도포하는 단계;
상기 PDMS를 경화시키는 단계; 및
상기 금형과 경화된 PDMS를 분리시키는 단계;
인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 발광다이오드 패키지의 몰딩방법
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제 9항에 있어서, 상기 몰딩재료의 도포단계는,
스핀코팅(Spin coating)법, 드랍(drop)법 또는 다이캐스팅(die casting)법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 몰딩재료를 도포하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 발광다이오드 패키지의 몰딩방법
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제 9항에 있어서, 상기 적어도 하나이상의 발광다이오드 소자를 포함하는 발광다이오드 패키지에 상기 몰딩재료 도포단계 및 소정의 마스터를 이용한 경화단계를 반복적으로 수행하여, 상기 투광성 기판상에 소정의 거리로 격리된 복수의 몰딩체와 투광성 기판의 상부를 커버하는 단일한 몰딩체를 함께 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 발광다이오드 패키지의 몰딩방법
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