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실리콘 박막 태양전지의 투명전극층 표면 처리방법

  • 기술번호 : KST2015200678
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 일면에 투명전극층이 형성된 태양전지의 투명전극층의 표면을 거칠게 처리하는 태양전지의 투명전극층 표면처리방법에 관한 것으로서, 기판에 투명 전극층이 형성된 패널을 챔버내에 배치하는 단계와, 챔버 내부를 배기하여 20 내지 30토르의 압력으로 유지하는 단계와, 챔버 내부의 온도를 280 내지 300℃로 가온하는 단계와, 챔버 내부로 헥사플루오로아세틸아세톤 반응액을 공급하면서 투명전극층의 노출된 표면을 6 내지 8분 동안 식각하는 단계를 포함한다. 이러한 태양전지의 투명전극층 표면 처리방법에 의하면, 투명전극층의 표면을 광전변환 효율이 높은 대역의 광흡수율을 높일 수 있도록 처리할 수 있어 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020120122605 (2012.10.31)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0056796 (2014.05.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영식 대한민국 광주광역시 북구
2 이동길 대한민국 광주광역시 광산구
3 심하몽 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0895050-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0060234-95
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0292430-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0292424-46
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0521236-11
6 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.09.01 수리 (Accepted) 7-1-2014-0033402-85
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일면에 투명전극층이 형성된 태양전지의 상기 투명전극층의 표면을 처리하는 태양전지의 투명전극층 표면처리방법에 있어서,가
2 2
제1항에 있어서, 상기 헥사플루오로아세틸아세톤은 45도 내지 50℃의 온도를 유지하여 상기 챔버에 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 투명전극층 표면처리방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 챔버 내부의 온도는 290℃로 가온하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 투명전극층 표면처리방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 라단계는 7분동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 투명전극층 표면처리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.