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기판의 상면에 n형 또는 p형 AlxGayInzN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 하부 접촉층;AlxGayInzN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 장벽층 및 AlxGayInzN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 우물층을 적어도 하나 이상 포함하는 단일 또는 다중양자 우물구조를 가지는 활성층; 및상부 접촉층; 을 포함하고,상기 상부 접촉층의 바깥부에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 개별 구조가 주기적으로 반복 형성된 무반사 구조층을 가지며,상기 무반사 구조층의 상기 개별 구조의 반복 형성 주기는 인접하는 개별 구조의 중심과 중심 사이의 거리이며, 상기 반복 형성 주기는 발광파장보다 작은 것인,발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 무반사 구조층의 상기 개별 구조는 피라미드 구조이고,상기 피라미드 구조는 나노콘, 나노로드, 나노팁 또는 나노스피어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 하부 접촉층, 활성층 및 상부 접촉층이 성장된 후 상기 기판에서 분리된 경우에는 하부 접촉층, 상부 접촉층 또는 기판 중 하나 이상의 바깥부에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 개별 구조가 주기적으로 반복 형성된 무반사 구조층을 가지며, 상기 무반사 구조층의 상기 개별 구조의 반복 형성 주기는 인접하는 개별 구조의 중심과 중심 사이의 거리이며, 상기 반복 형성 주기는 발광파장보다 작은 것인,발광 다이오드
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(a) 기판의 상면에 n형 또는 p형 AlxGayInzN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 하부 접촉층을 형성하는 과정;(b) 상기 하부 접촉층 상면에 활성층을 성장시키는 과정; (c) 상기 활성층 상면에 상부 접촉층을 성장시키는 과정 및 (d) 상기 상부 접촉층의 바깥부에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 개별 구조가 주기적으로 반복 형성된 무반사 구조층을 형성시키는 과정을 포함하고, 상기 하부 접촉층, 활성층 및 상부 접촉층이 성장된 후 기판에서 분리된 경우에는 하부 접촉층, 상부 접촉층 또는 기판 중 하나 이상의 바깥부에 발광 파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 개별 구조가 주기적으로 반복 형성된 무반사 구조층을 형성시키는 과정을 더 포함하며, 상기 무반사 구조층의 상기 개별 구조의 반복 형성 주기는 인접하는 개별 구조의 중심과 중심 사이의 거리이며, 상기 반복 형성 주기는 발광파장보다 작은 것인,발광 다이오드 제조 방법
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