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에지 에미팅 레이저 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200681
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전방 벽개면(front facet)과 후방 벽개면(rear facet)에 의해 종단되는 레이저 발광 도파관; 상기 전방 벽개면에 형성되고, 제1패시베이션층, 상기 제1패시베이션층에 형성되는 저굴절률층을 포함하는 저반사 코팅층; 및상기 후방 벽개면에 형성되고, 상기 제2 패시베이션층, 상기 제2패시베이션층에 형성되는 저굴절률층과 고굴절률층의 스택(stack)을 포함하는 고반사율 코팅층을 포함하는 에지 에미팅 레이저 다이오드, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0284(2013.01) H01S 5/0284(2013.01) H01S 5/0284(2013.01)
출원번호/일자 1020130045524 (2013.04.24)
출원인 주식회사 옵토웰, 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0127034 (2014.11.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 옵토웰 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양계모 대한민국 전북 전주시 완산구
2 장호진 대한민국 전북 전주시 완산구
3 김상민 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 한수욱 대한민국 광주광역시 북구
5 김정호 대한민국 광주광역시 북구
6 임주영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0361305-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011544-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0127725-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0391451-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0391452-69
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0589191-26
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1018805-13
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0889325-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2015-0059408-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2020-5230884-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전방 벽개면(front facet)과 후방 벽개면(rear facet)에 의해 종단되는 레이저 발광 도파관; 상기 전방 벽개면에 형성되고, 제1패시베이션층, 상기 제1패시베이션층에 형성되는 저굴절률층을 포함하는 저반사 코팅층; 및상기 후방 벽개면에 형성되고, 상기 제2 패시베이션층, 상기 제2패시베이션층에 형성되는 저굴절률층과 고굴절률층의 스택(stack)을 포함하는 고반사율 코팅층을 포함하는 에지 에미팅 레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층은 1 QWOT(Quarter Wave Length Optical Thickness)를 갖는 에지 에미팅 레이저 다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 저반사 코팅층에 있어서, 상기 제1패시베이션층과 상기 저굴절률층 사이에 제3 패시베이션층을 더 포함하는 에지 에미팅 레이저 다이오드
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1패시베이션층과 상기 제3 패시베이션층은 각각 1 QWOT(Quarter Wave Length Optical Thickness)를 갖는 에지 에미팅 레이저 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1패시베이션층은 굴절률이 2 내지 4, 두께가 60nm 내지 120nm인 에지 에미팅 레이저 다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 저반사 코팅층의 상기 저굴절률층은 굴절률이 1
7 7
제1항에 있어서, 상기 에지 에미팅 레이저 다이오드는 상기 스택 1 내지 5개가 적층된 에지 에미팅 레이저 다이오드
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2패시베이션층은 굴절률이 2 내지 4, 두께가 60nm 내지 120nm인 에지 에미팅 레이저 다이오드
9 9
제1항에 있어서, 상기 고반사율 코팅층 중, 상기 저굴절률층은 굴절률이 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.