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나노 필러(nano pillar) 구조를 이용한 반극성(semi-polar) 질화물층의 제조방법에 있어서,(a) 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 반극성의 제1 질화물층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 질화물층의 상부 영역 일부를 에칭하여 제1 질화물층의 상부 영역에 나노 필러 구조를 형성하는 단계;(c) 상기 나노 필러 구조의 제1 질화물층으로부터 측면 성장에 의하여 제2 질화물층을 형성하는 단계; 를 포함하되,상기 나노 필러를 형성하는 단계는,상기 제1 질화물층 상부에 금속 나노 도트를 형성하는 단계; 및상기 금속 나노 도트를 마스크로 하여 제1 질화물층을 에칭하는 단계; 를 포함하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 질화물층의 성장은, 상기 제1 질화물층의 나노 필러의 상면으로부터의 성장은 억제되고 나노 필러의 측면으로부터 성장되는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제2 질화물층의 성장은, (0001) 방향으로의 성장에 의해 나노 필러들의 사이와 나노 필러의 상부에 다공(pore)이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 질화물층의 성장은, 상기 제1 질화물층의 나노 필러의 상면과 측면으로부터 성장되는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 제2 질화물층의 성장은, (0001) 방향으로의 성장에 의해 나노 필러들의 사이에 다공(pore)이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 도트를 형성하는 단계는,상기 제1 질화물층 상에 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층을 열처리하여 금속 나노 도트를 형성하는 단계;를 포함하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 질화물층의 상부 영역에 나노 필러 구조를 형성한 후, 상기 금속 나노 도트는 제거하되 상기 나노 필러 상부의 상기 중간층은 남겨둔 상태에서 제2 질화물층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 질화물층의 상부 영역에 나노 필러 구조를 형성한 후, 상기 금속 나노 도트와 상기 중간층을 제거한 상태에서 제2 질화물층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 중간층은 실리카(SiO2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 금속층은 니켈(Ni)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 질화물층은 (11-22) 방향의 반극성 질화물층인 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 질화물층의 측면 성장은 ELOG(Epitaxial Lateral OverGrowth) 방식을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 질화물층의 측면 성장은 제1 질화물층의 나노 필러로부터의 (0001) 방향으로의 성장을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 필러 구조를 이용한 반극성 질화물층의 제조방법
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