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질화물 반도체 박막의 성장방법

  • 기술번호 : KST2015200703
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 특히 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 내부에 질화물 반도체 박막을 성장하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면 패터닝된 사파이어 기판에 기판의 물성을 변화시키는 가스의 이온을 주입하는 단계와, 그러한 물성이 변화된 기판 위에 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층을 형성하고 그 위에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면 사파이어 기판 표면에 패터닝 작업을 하고, 형성된 패턴 모양의 기판에 질소 등의 이온 주입 공정에 의해 표면의 성질을 변화시킨 후 질화물 반도체 박막을 성장시킬 수 있어 박막의 구조적 결정성과 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.질화물, 반도체, 발광소자, 사파이어기판, 패터닝, 질소
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020070123420 (2007.11.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0888484-0000 (2009.03.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진정근 대한민국 서울 동대문구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 정탁 대한민국 광주 광산구
4 이상헌 대한민국 부산 금정구
5 김상묵 대한민국 광주 서구
6 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
7 전성란 대한민국 전북 전주시 덕진구
8 이진홍 대한민국 광주 북구
9 김강호 대한민국 광주 광산구
10 오화섭 대한민국 광주 광산구
11 유영문 대한민국 서울 관악구
12 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0864915-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041802-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0452899-67
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0730897-73
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0730894-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0088513-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 패터닝된 사파이어 기판에 상기 기판의 물성을 변화시키는 가스의 이온을 주입하는 단계;상기 물성이 변화된 기판 위에 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 질화물 반도체층에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 박막의 성장방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 표면 패터닝은,포토리소그래피(Photo Lithography)법, 전자빔 리소그래피법, 극-자외선 간섭 리소그래피(EUV-Interference Lithography), 나노임프린팅법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 기판 단면의 형상을 다각형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막의 성장방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 포토리소그래피(Photo Lithography)법을 이용한 사파이어 기판의 표면 패터닝은,상기 사파이어 기판 위에 규소산화물층 또는 규소질화물층으로 구성된 유전막을 형성하는 단계,상기 유전막 위에 포토레지스트를 증착한 후 패턴 마스크를 통해 감광시켜 패턴에 따라 유전막과 사파이어 기판의 일부를 식각하는 단계, 및상기 유전막과 포토레지스트를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막의 성장방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 가스 이온은,질소가스 및 불활성가스로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 가스의 이온인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 박막의 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.