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ＩｎＰ의 Ｖ／Ⅲ 비율에 따른 Ｚｎ 확산층 조절방법

기술번호 : KST2015200706
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 인듐비소의 V족 (P) 과 III족 (In)의 V/III 비율에 따라 변화하는 Zn의 확산 및 활성화 작용을 이용하여 각 구간마다 적정수준의 V/III 비율을 갖는 InP를 이용함으로써 고효율 수광소자를 얻기 위한 방법을 제공한다. Zn의 활성화는 Ⅲ족의 결핍(vacancy) 농도가 커짐에 따라 비례하여, V/III 비율이 클수록 커지게 된다. rapid thermal annealing (RTA) 방법에 의하여 확산된 Zn원자에는 In 자리와 치환되어 도핑으로 작용할 수 있는 치환형 원자와 단지 침입만 한 침입형 원자들로 구성되어 있다. 실험 결과 V/III 비율이 클수록 확산 깊이에 관계없이 일정한 도핑농도를 갖는 형태를 얻었으며, 이 결과를 통해 효율적인 전기장 및 이득을 제공한다.확산층, 확산작용시간, 활성화작용시간, 아발란치 광검출기, 활성화 깊이, 활성화 형태
Int. CL	H01L 31/107 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) C23C 16/00 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자	1020060033724 (2006.04.13)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2007-0102072 (2007.10.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.04.13)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김회종	대한민국	광주 광산구
2	김효진	대한민국	광주 북구
3	김선훈	대한민국	광주 서구
4	기현철	대한민국	광주 북구
5	김태언	대한민국	전남 나주시 세지
6	정동열	대한민국	광주 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2006-0257875-82
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.02.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.03.13	수리 (Accepted)	9-1-2007-0012775-89
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.03.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0168976-11
5	의견서 Written Opinion	2007.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2007-0339151-81
6	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2007.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0339150-35
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.09.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0489046-60
8	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2007.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0631273-61
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 InP를 성장시키는 단계;상기 InP상부에 Zn3P2를 증착시킨 후 상기 Zn3P2상부에 SiO2를 형성하는 단계;상기 SiO2와 상기 Zn3P2를 제거하는 단계; 및 상기 InP상부에 재차 SiO2를 형성한 후 활성화 열처리하는 단계를 포함하는 Zn 확산층 조절방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 InP를 성장시키는 방법은 유기금속화학증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 InP를 성장시키는 방법은 PH3와 TMI의 유량을 변화시켜 V/III의 비율을 변화시킴으로서 성장시키는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
4	4 제 3항에 있어서, 상기 V/III의 몰농도 비율은 50 내지 400 인것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 InP는 4um 이하의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 Zn3P2는 세척과정을 거친 후 열증착기에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 Zn3P2는 70nm 두께 이하로 증착되는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 SiO2는 100nm 두께 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 SiO2와 상기 Zn3P2는 제거되기 이전에 500℃ 이하에서 10분 이하로 열처리 되는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
10	10 제 1항에 있어서, 상기 SiO2와 상기 Zn3P2는 BOE와 질산으로 제거되는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
11	11 제 1항에 있어서, 상기 활성화 열처리는 RTA을 이용하는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법
12	12 제 1항에 있어서, 상기 활성화 열처리는 10분 이내로 행하는 것을 특징으로 하는 Zn 확산층 조절방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2006-0257875-82
2	선행기술조사의뢰서	2007.02.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.03.13	수리 (Accepted)	9-1-2007-0012775-89
4	의견제출통지서	2007.03.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0168976-11
5	의견서	2007.05.07	수리 (Accepted)	1-1-2007-0339151-81
6	명세서등보정서	2007.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0339150-35
7	의견제출통지서	2007.09.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0489046-60
8	거절결정서	2007.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0631273-61
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39


과제고유번호	1410047267
세부과제번호	10018420
연구과제명	저가형APD소자핵심기술개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	한국광기술원
성과제출연도	2006
연구기간	200412~200809
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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