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기판의 일면에 형성되며, 공급되는 전자 및 정공의 재결합에 따라 생성되며, 제 1 스펙트럼을 갖는 제 1 광을 출력하는 제 1 에피층; 및상기 기판의 타면에 형성되며, 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하는 제 2 에피층으로 구성되고,상기 제 2 에피층은 상기 기판의 타면에 순차적으로 형성되는 제 1 캐리어 구속층, 형광층 및 제 2 캐리어 구속층으로 구성되는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 에피층은,상기 기판의 일면에 순차적으로 형성되는 n-반도체층, 활성층 및 p-반도체층으로 구성되는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 에피층은 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 상기 제 1 스펙트럼과 동일한 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 에피층은 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 상기 제 1 스펙트럼과 상이한 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 캐리어 구속층은 상기 형광층보다 에너지 밴드갭이 큰 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 형광층은 단일층의 벌크 웰(bulk well) 구조로 형성되는 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 형광층은 배리어와 양자 웰(quantum well)이 교대로 적층된 다층 구조로 형성되는 발광 다이오드
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기판의 일면에 순차적으로 n-반도체층, 활성층 및 p-반도체층을 형성하여, 제 1 스펙트럼을 갖는 제 1 광을 출력하는 제 1 에피층을 형성하고,상기 기판의 타면에 순차적으로 제 1 캐리어 구속층, 형광층 및 제 2 캐리어 구속층을 형성하여, 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하는 제 2 에피층을 형성하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 n-반도체층, 상기 활성층 및 상기 p-반도체층은 금속유기화학증착 방법을 통해 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 캐리어 구속층, 상기 형광층 및 상기 제 2 캐리어 구속층은 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 이용하여 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 에피층을 형성하기 전에, 상기 기판의 타면에 래핑(lapping) 가공 및 폴리싱(polishing) 가공을 한 후, 상기 제 2 에피층을 형성하는 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 에피층은 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 상기 제 1 스펙트럼과 상이한 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하도록 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 에피층은 상기 제 1 광의 일부를 흡수하여, 상기 제 1 스펙트럼과 동일한 제 2 스펙트럼을 갖는 제 2 광을 출력하도록 형성되는 발광 다이오드의 제조방법
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