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기판의 상부면 상에 배치된 제1형 반도체층 및 상기 제1형 반도체층의 상부면 상에 배치되되 상기 제1형 반도체층의 상부면의 적어도 일부를 노출시키는 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체;
상기 제1형 반도체층 및 제2형 반도체층 상부면 상에 배치된 각각의 제1형 전극 및 제2형 전극;
상기 제1형 전극 및 제2형 전극을 제외한 상기 기판 상에 배치되되 상기 제2형 반도체층의 상부면 레벨보다 높은 레벨의 상부면을 가지고, 상기 제1형 전극 및 제2형 전극의 상부면을 노출시키는 투광성보호층; 및
상기 투광성보호층 및 상기 기판의 가장자리부를 관통하는 다수 개의 관통홀 내에 각각 배치된 파장변환기둥들을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,
상기 파장변환기둥들은 상기 기판의 가장자리부 방향으로 다수개의 열 형태로 배치되는 발광다이오드
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제2항에 있어서,
상기 파장변환기둥들은 각각의 파장변환기둥들이 교호로 배치되는 발광다이오드
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제1항에 있어서,
상기 기판의 하부면 상에 배치된 파장변환물질막을 더 포함하는 발광다이오드
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제4항에 있어서,
상기 기판은 하부면 표면에 다수 개의 홈들을 구비하되,
상기 파장변환물질막은 상기 홈들 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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6
제1항에 있어서,
상기 투광성보호층은 파장변환물질을 함유하고,
상기 기판의 하부면 상에 배치된 반사층을 더 포함하는 발광다이오드
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7
제1항에 있어서,
상기 발광구조체는 청색광 또는 자외선광을 방출하는 소자이고,
상기 파장변환기둥은 황색변환물질, 적색변환물질, 녹색변환물질 및 청색변환물질로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 함유하는 발광다이오드
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8
기판의 상부면 상에 배치된 제1형 반도체층 및 상기 제1형 반도체층의 상부면 상에 배치되되 상기 제1형 반도체층의 상부면의 적어도 일부를 노출시키는 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체를 제공하는 단계;
상기 제1형 반도체층 및 제2형 반도체층 상부면 상에 각각 제1형 전극 및 제2형 전극을 형성하는 단계;
상기 제1형 전극 및 제2형 전극을 제외한 상기 기판 상에 상기 제2형 반도체층의 상부면 레벨보다 높은 레벨의 상부면을 가지고, 상기 제1형 전극 및 제2형 전극의 상부면을 노출시키는 투광성보호층을 형성하는 단계;
상기 투광성보호층 및 상기 기판의 가장자리부를 관통하는 다수 개의 관통홀을 형성하는 단계; 및
상기 관통홀 내부에 파장변환물질을 각각 인입시켜 파장변환기둥들을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 파장변환물질은 광, 열 또는 고주파에 의해 경화가 일어나는 경화물질을 더 함유하고,
상기 관통홀 내에 상기 파장변환물질을 인입시킨 후에, 상기 파장변환물질을 광, 열 또는 고주파에 노출시키는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 광은 광을 발생하는 기구로부터 가해진 광이거나, 상기 발광구조체로부터 발생되는 광인 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 관통홀들은 레이저 드릴, 습식식각 또는 건식식각을 사용하여 형성하는 발광다이오드 제조방법
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12
제8항에 있어서,
상기 기판의 하부면 상에 파장변환막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,
상기 기판의 하부면 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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