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제1 나노 로드;상기 제1 나노 로드의 상부면 상에 형성된 양자점; 및 상기 제1 나노 로드의 측면과 상기 양자점을 덮는 제2 나노 로드;를 포함하고,상기 제1 및 제2 나노 로드는 서로 반대되는 타입인 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 나노 로드는 기판 상에 직접 형성된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 나노 로드 사이에 절연막과 수지막이 순차적으로 적층된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 나노 로드의 상부면은 상기 양자점 위에 있고, 상기 제2 나노 로드 사이에 수지막이 구비된 전자소자
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제 3 항에 있어서,상기 제2 나노 로드는 상기 제1 나노 로드와 상기 수지막 사이의 상기 절연막 상에 형성된 전자소자
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제 3 항에 있어서,상기 수지막에 홀이 존재하고, 상기 제1 나노 로드는 상기 홀 내에 존재하고, 상기 홀의 가장자리와 상기 제1 나노 로드는 이격된 전자소자
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제 6 항에 있어서,상기 제2 나노 로드는 상기 홀 내에 존재하고, 상기 홀의 가장자리와 상기 제1 나노 로드 사이에 구비된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제2 나노 로드의 측면과 상부면은 전도성 산화막으로 덮이고, 상기 제1 나노 로드와 상기 전도성 산화막은 이격된 전자소자
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제 8 항에 있어서,상기 전도성 산화막의 상부면은 평탄하고, 상기 상부면 상에 전극이 구비된 전자소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 나노 로드의 밴드갭은 1
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제 1 항에 있어서,상기 제2 나노 로드의 밴드갭은 1
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기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막에 상기 기판이 노출되는 제1 홀을 형성하는 단계;상기 제1 홀을 채우는 제1 나노 로드를 형성하는 단계;상기 제1 나노 로드의 상부면 상에 양자점을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 제2 홀을 포함하는 수지막을 형성하되, 상기 제2 홀은 상기 제1 홀과 그 둘레의 상기 절연막의 일부가 노출되도록 형성하는 단계;상기 노출된 절연막 상에 상기 제1 나노 로드 및 상기 양자점을 덮는 제2 나노 로드를 형성하는 단계;상기 수지막 상에 상기 제2 나노 로드를 덮는 전도성 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 산화막 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 및 제2 나노 로드는 서로 반대되는 타입으로 형성하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 홀을 채우는 상기 제1 나노 로드를 형성하는 단계는,상기 제1 홀을 통해 노출되는 상기 기판 상에 기저막을 성장시키는 단계; 및 상기 기저막 상에 상기 제1 나노 로드를 성장시키는 단계;를 포함하고, 상기 기저막은 상기 제1 나노 로드와 동일한 물질을 포함하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 나노 로드는 MOCVD 또는 MBE 방법으로 형성하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 나노 로드와 상기 양자점은 VLS 성장법을 이용하여 동시에 형성하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 절연막에 상기 기판이 노출되는 제1 홀을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;상기 촉매층을 이격된 복수의 방울(droplet)로 나누는 단계;상기 복수의 방울 둘레의 상기 기판 상에 상기 방울보다 얇은 두께로 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 방울을 제거하여 상기 기판이 노출되는 상기 제1 홀을 형성하는 단계;를 포함하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 양자점을 형성하는 단계는,상기 제1 나노 로드의 상부면에 드랍릿(droplet) 방식으로 갈륨(Ga) 양자점을 형성하는 단계; 및 상기 갈륨 양자점을 비소(As)로 도핑하는 단계;를 포함하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제2 나노 로드는 MOCVD 또는 MBE 방법으로 형성하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 나노 로드, 상기 양자점 및 상기 제2 나노 로드는 인-시츄(in-situ)로 형성하는 전자소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 전도성 산화막은 측방향 과성장(lateral overgrowth) 방식으로 형성하는 전자소자의 제조방법
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