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질화물계 발광소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200737
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 발광소자 및 그의 제조방법에 있어서, AlxInyGa1-x-yN (1003e#x,y)의 화학식으로 성장된 우물 및 Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N(x2003e#x1003e#x, y2003e#y1003e#y 및 1003e#x,y(또는 x1,y1,x2,y2003e#1))의 화학식으로 성장된 3중의 장벽으로 이루어진 단일양자구조 및 상기 우물과 장벽이 반복 성장된 다중양자구조로 이루어진 활성층을 포함한다. 본 발명에 의하면, 빛을 방출하는 활성층 내의 우물과 장벽 사이의 내부 전장의 크기를 감소시켜 발광소자 구동 시 발생하는 파장 변화의 정도를 감소시키고, 우물 내의 전자와 정공의 수를 증가시켜 발광에 기여하는 정공과 전자의 재결합 확률을 증가시킴으로써 많은 수의 광자를 방출하여 발광소자의 특성을 향상시킬 수 있다. 장벽층, 우물층, 활성층, 발광소자
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080017488 (2008.02.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0963973-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자 10-2009-0092149 (2009.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20100615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 대한민국 광주 광산구
2 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
3 진정근 대한민국 광주 서구
4 이상헌 대한민국 부산 중구
5 김상묵 대한민국 광주 서구
6 정탁 대한민국 광주 광산구
7 김강호 대한민국 광주 광산구
8 오화섭 대한민국 광주 광산구
9 백종협 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0141664-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072408-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0491066-45
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0040720-19
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0040721-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0201129-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
장벽층과 우물층으로 형성된 활성층을 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서, 서브스트레이트 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층상에 n형 질화물계 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 질화물계 반도체층 상에 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층을 순차적으로 적층하고, 상기 제 3장벽층 상에 우물층을 적층하여 제 1장벽층, 제 2장벽층, 제 3장벽층 및 우물층을 구비하는 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 p형 질화물계 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 1장벽층 및 제 3장벽층은 AlInGaN의 화학식을 만족하고, 상기 제 2장벽층은 상기 제 1장벽층의 높이보다 높게 성장되고, 상기 제 1장벽층의 화학식을 만족하며 다른 조성비를 갖으며, 상기 제 3장벽층은 상기 제 2장벽층의 높이보다 낮게 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층의 높이는, 상기 제 1장벽층, 제 2장벽층 및 제 3장벽층을 이루는 알루미늄질화인듐갈륨(AlInGaN)의 알루미늄(Al)의 조성비에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 장벽층과 우물층은 한번 이상 반복 성장하여 다중양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 6
기판, n형 질화물계 반도체층, 활성층 및 p형 질화물계 반도체층으로 형성된 질화물계 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 장벽층 및 우물층을 포함하여 형성되고, 상기 장벽층은, 상기 n형 질화물계 반도체층상에 성장되며 AlInGaN의 화학식을 만족하는 제 1장벽층; 상기 제 1장벽층의 상부에 상기 제 1장벽층의 높이보다 높게 성장되고, 상기 제 1장벽층의 화학식을 만족하며 다른 조성비를 갖는 제 2장벽층; 및 상기 제 2장벽층의 상부에 상기 제 2장벽층의 높이보다 낮게 성장되고, 상기 제 1장벽층과 동일한 화학식을 만족하는 제 3장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
7 7
제 6항에 있어서, 상기 장벽층과 우물층은 한번 이상 반복 성장하여 다중양자 우물 구조의 활성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.