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염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200750
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법에 관한 것으로서, 전도성 기판의 유리면에 고투과율막(무반사)을 적층하고, 금속나노구조를 주기적 또는 비주기적으로 형성시킴으로써, 종국적으로는 광학박막인 고투과율막과 금속나노구조의 플라즈몬 공명 현상을 적용하여, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 전도성 기판의 유리면 상에 적어도 둘 이상 고투과율 광학박막층을 교번하여 적층하는 단계; 및 (b) 플라즈몬 현상을 적용하기 위하여, 최상위 고투과율 광학박막층 상에 주기적으로 또는 비주기적으로 금속나노입자를 형성하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01G 9/209(2013.01) H01G 9/209(2013.01)
출원번호/일자 1020130038063 (2013.04.08)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1474549-0000 (2014.12.12)
공개번호/일자 10-2014-0121940 (2014.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20141223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 기현철 대한민국 광주 북구
2 김두근 대한민국 광주 광산구
3 김선훈 대한민국 광주 동구
4 김회종 대한민국 광주 광산구
5 김태언 대한민국 광주 서구
6 정행윤 대한민국 전남 강진군
7 김홍승 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0303090-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0020336-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0305630-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0619555-44
6 보정요구서
Request for Amendment
2014.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0115732-35
7 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0656483-67
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0726796-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0835110-52
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0835111-08
11 등록결정서
Decision to grant
2014.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0835061-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 전도성 기판의 유리면 상에 적어도 둘 이상 고투과율 광학박막층을 교번하여 적층하는 단계; 및(b) 플라즈몬 현상을 적용하기 위하여, 최상위 고투과율 광학박막층 상에 주기적으로 또는 비주기적으로 금속나노입자를 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 고투과율 광학박막층은,유전층으로서 이산화 규소 및 이산화 티타늄 중 적어도 하나인 것을 포함하는 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 스크린 마스크 또는 패턴 마스크를 형성한 후, 금속 나노 용액을 도포한 후, 열처리하는 인쇄방식을 통해 상기 금속나노입자를 주기적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 진공증착방식을 이용하여 금속나노구조층을 증착 및 열처리하여 상기 금속나노입자를 비주기적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 열처리 온도 또는 금속나노입자의 박막 두께에 따라, 상기 금속나노입자의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 고투과율막 및 금속나노구조 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.