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응력 완화층을 구비한 질화물계 발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200755
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판의 표면 패터닝; 및 상기 표면 패터닝된 실리콘 기판상에 적어도 1 이상의 질화물 박막층이 순차 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공한다. 상기 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막 내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H05B 33/10 (2006.01.01) H05B 33/22 (2006.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020050113630 (2005.11.25)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0726968-0000 (2007.06.04)
공개번호/일자 10-2007-0055194 (2007.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20070614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승재 대한민국 광주 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
4 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
5 김광철 대한민국 광주광역시 광산구
6 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
7 전성란 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
8 유영문 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0684450-51
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0494970-69
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0668725-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0700276-60
5 의견서
Written Opinion		 2006.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0919923-25
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0919922-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0168806-68
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 표면이 패터닝 된 실리콘 기판; 및상기 기판 상부에 적층된 질화물 박막층을 포함하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판 상부표면의 패터닝 깊이는 1~10,000㎚이고, 패턴 중심간의 거리는 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판 상부표면의 패터닝 형상은 직선, 원, 사각형, 육각형 중 선택되는 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층을 구성하는 질화물은 InxGayAlzN의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 3족 원자를 포함하는 기체와 질소원자를 포함하는 기체를 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 3족 원소와 질소원자가 함께 구조 내 포함된 단일 화합물을 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자
7 7
실리콘 기판 상부에 패터닝 하는 단계; 및상기 패터닝된 기판 상부에 갈륨 질화물 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 기판 상부에 패터닝 하는 단계는포토레지스트를 코팅하는 단계; 노광공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;마스크 포토레지스트가 존재하지 않는 기판 표면 부위를 식각하여 실리콘 기판 표면의 패턴을 형성하는 단계; 및마스크 포토레지스트 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 식각 방법은 건식, 습식, 스크라이빙 중 선택되는 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 식각 부위를 스크라이빙 또는 브레이킹 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 응력완화층을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.