| 1 |
1
기판 상에 서로 인접하여 배치된 제1 및 제2 배면전극들; 및
상기 배면전극들 상에 각각 위치하여, 상기 각 배면전극을 소자영역과 연결영역으로 구분하는 제1 절연패턴들;
상기 배면전극들 사이에 위치하는 제2 절연패턴;
상기 제2 배면전극의 소자영역 상에 위치하는 광흡수 패턴; 및
상기 광흡수 패턴과 상기 제1 배면전극의 연결영역 상에 위치하는 윈도우 패턴을 구비하는 태양전지
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 배면전극들은 Ni 전극, Cu 전극 또는 Mo 전극인 태양전지
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 절연 패턴들은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막인 태양전지
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 광흡수 패턴은 In2Se3, In2S3, Ga2Se3, 및 Ga2S3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 함유하는 층인 태양전지
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 윈도우 패턴은 ZnO층 또는 ITO/ZnO층인 태양전지
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 광흡수 패턴 및 상기 윈도우 패턴 사이에 배치되는 버퍼 패턴을 더 포함하는 태양전지
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연 패턴의 상부면은 상기 윈도우 패턴의 상부면과 같거나 높은 레벨에 위치하는 태양전지
|
| 8 |
8
기판 상에 제1 및 제2 배면전극들을 인접하여 형성하는 단계;
상기 배면전극들 상에 상기 각 배면전극을 소자영역과 연결영역으로 구분하는 제1 절연패턴들을 각각 형성하고, 상기 배면전극들 사이에 제2 절연패턴을 형성하는 단계;
상기 제2 배면전극의 소자영역 상에 광흡수 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 광흡수 패턴 및 상기 제1 배면전극의 연결영역 상에 윈도우 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 배면전극들은 포토리소그라피법 또는 리프트 오프법을 사용하여 형성하는 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서,
상기 절연패턴들은 포토리소그라피법 또는 리프트 오프법을 사용하여 형성하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,
상기 광흡수 패턴은 포토리소그라피법 또는 리프트 오프법을 사용하여 형성하는 태양전지 제조방법
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서,
상기 윈도우 패턴은 포토리소그라피법 또는 리프트 오프법을 사용하여 형성하는 태양전지 제조방법
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,
상기 광흡수 패턴을 형성하는 단계는 상기 광흡수 패턴과 상기 광흡수 패턴 상부의 버퍼 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 태양전지 제조방법
|
