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무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 갖는 기판;상기 기판 상에 성장된 제1 III족 질화물 층;상기 제1 III족 질화물 층 상에, 패턴화된 마스크 층을 이용한 ELOG(epitaxial lateral overgrowth) 방식에 의하여 측면 성장되고, 2 내지 50 ㎛의 직경을 갖는 1 또는 2 이상의 삼각 형상의 캐비티가 내부에 형성된 제2 III족 질화물 층; 및상기 제2 III족 질화물 층 상에 성장된 발광 다이오드 구조;를 포함하고,여기서, 상기 캐비티는 상기 패턴화된 마스크 층을 바닥면으로 하되, 상측 2개의 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타내고, 그리고 상기 캐비티 내면의 N-극성을 나타내는 영역에 대한 화학적 에칭을 통하여 조도가 형성되어 있는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드
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무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하도록 이방성 에칭처리된 실리콘(Si) 기판;b) 상기 에칭된 실리콘 기판 상에 성장되고, 1 또는 2 이상의 캐비티가 내부에 형성된 III족 질화물 층; 및c) 상기 III족 질화물 층 상에 성장된 발광 다이오드 구조;를 포함하고,상기 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면은 (111) 파셋(facet)을 갖고, 그리고 상기 캐비티 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타내는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판은 m-면 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1 III족 질화물 층은 (11-22) 방향의 반극성 층인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드
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제2항에 있어서, 상기 캐비티의 내면에 조도가 형성된 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드
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a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 갖는 기판 상에 제1 III족 질화물 층을 성장시키는 단계;b) 상기 제1 III족 질화물 층 상에 패턴화된 마스크 층을 형성한 다음, 상기 패턴화된 마스크 층이 형성된 제1 III족 질화물 층 상에 III족 질화물 층을 ELOG(epitaxial lateral overgrowth) 방식에 의하여 측면 성장시켜 2 내지 50 ㎛의 직경을 갖는 1 또는 2 이상의 삼각 형상의 캐비티가 내부에 형성된 제2 III족 질화물 층을 형성하는 단계로서, 상기 캐비티는 패턴화된 마스크 층을 바닥면으로 하되, 상측 2개의 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타냄;c) 상기 제2 III족 질화물 층 상에 발광다이오드 구조를 성장시키는 단계; 및d) 상기 캐비티 내면의 N-극성을 나타내는 영역에 대한 화학적 에칭을 수행하여 조도를 형성하는 단계;를 포함하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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a) 실리콘(Si) 기판 상에 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하도록 이방성 에칭(anisotropic etching)을 수행하는 단계;b) 상기 에칭된 실리콘 기판 상에 1 또는 2 이상의 캐비티를 형성하면서 III족 질화물 층을 성장시키는 단계로서, 상기 캐비티 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타냄; 및c) 상기 단계 b)에서 성장된 III족 질화물 층 상에 발광다이오드 구조를 성장시키는 단계;를 포함하며, 상기 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면은 (111) 파셋(facet)을 갖는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 마스크 층은 (1-100) 방향으로 패턴화된 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 마스크 층은 SiO2 또는 SiNx 재질인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 마스크 층은 스트라이프 패턴으로 형성되고, 상기 스트라이프의 폭 및 스트라이프 간격은 각각 2 내지 50 ㎛ 및 2 내지 20 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, d) 화학적 에칭을 수행하여 상기 캐비티 내면에 조도를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제6항 또는 제13항에 있어서, 상기 화학적 에칭은 KOH 수용액 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 KOH 수용액의 물에 대한 KOH 몰 비는 1 내지 10 범위인 것을 특징으로 하는 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 발광 다이오드의 제조방법
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