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ＣＩＳ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 및 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015200781
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액체 유기금속 셀레늄 소스를 이용한 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캐리어 가스(carrier gas)를 사용하지 아니하고 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기압만을 이용한 셀렌화 공정을 포함하여 CIS계 박막태양전지 흡수층을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명은, 캐리어 가스 발생장치가 불필요하며, 그만큼 간단해져 장치설치 비용을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 반응제어가 용이하여 흡수층 박막 내에 셀레늄(Se) 함량이 50% 이상인 고품질의 CIS계 흡수층을 안전하고 저렴하게 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120072590 (2012.07.04)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1356212-0000 (2014.01.17)
공개번호/일자 10-2014-0007095 (2014.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고항주 대한민국 광주 북구
2 김효진 대한민국 광주 광산구
3 한명수 대한민국 광주 광산구
4 신재철 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0533935-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0078742-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0718779-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1163682-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1163681-60
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0031544-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 기판 위에 배면전극을 증착하는 단계;(2) 상기 배면전극 위에 Cu-Ⅲ족 금속을 증착하는 단계;(3) 상기 (2)단계에서 Cu-Ⅲ족 금속을 증착한 기판을 셀렌화 챔버에 도입한 후 셀렌화 챔버 내의 공기를 제거하는 단계;(4) 상기 (3)단계에서 공기를 제거한 셀렌화 챔버 내로 질량 유량계 또는 압력 조절 밸브를 이용하여 캐리어 가스를 사용하지 않고 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기를 주입하는 단계; 및(5) 상기 (3)단계에서 셀렌화 챔버에 도입한 기판의 온도를 가열 챔버의 가열부에 전력을 투입하여 400 내지 500 ℃로 조절하고 10 내지 50 분간 셀렌화하는 단계;를 포함하되,상기 액체 유기금속 셀레늄 소스는 항온조에 저장되어 온도가 조절되고, 가열 챔버로부터 셀렌화 챔버 내의 기판으로 열전달이 가능하도록 셀렌화 챔버와 가열 챔버가 공간적으로 분리되어 구성된 장치를 이용하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 세라믹 기판 또는 금속 기판이며 배면전극은 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 배면전극 위에 증착되는 Ⅲ족 금속은 In 및 Ga 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 액체 유기금속 셀레늄 소스는 다이메틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3)2Se), 다이에틸셀레나이드(Diethylselenide, (CH3CH2)2Se), 다이터트부틸셀레늄(Di-tert-butylselenium, t-(C4H9)2Se), 메틸알리셀레늄(Methylallyselenium, (CH3)Se(C3H5)), 다이알리셀레늄(Diallyselenium, (C3H5)2Se), 다이이소필셀레늄(i-(C3H7)2Se)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 (5)단계에서 셀렌화한 다음 가열 챔버의 가열부의 온도를 0 ℃로 조절하여 기판의 온도를 낮춰 냉각시키고 셀렌화 챔버 내 존재하는 액체 유기금속 셀레늄 소스의 증기를 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지의 흡수층 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국광기술원 첨단장비활용 기술개발사업 비독성 소스를 이용한 셀렌화 RTA 개발