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기판상에 에칭마스크용 물질을 증착하여 섬(island) 형상의 제 1 요철을 성장시키는 단계와,상기 제 1 요철을 에칭마스크로 하여 상기 기판을 에칭하여 제 2 요철을 형성하여, 상기 에칭마스크용 물질로 이루어지는 제 1 요철과 상기 제 2 요철로 구성되는 이종물질 요철을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자용 기판 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, GaAs 기판, GaN 기판, InP 기판 중 어느 하나인 반도체 발광소자용 기판 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 에칭마스크용 물질은 ITO, ZnO, Cr, Ag, Au, Ni, SiO2, Si3N4, SiON 중 어느 하나인 반도체 발광소자용 기판 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 에칭마스크용 물질의 증착은 E-beam 증착기, PE_CVD, 스퍼터(Sputter) 중 어느 하나에 의하는 반도체 발광소자용 기판 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma), RIE(Reactive Ion Etching), ECR(Electron cyclotron resonance) 중 어느 하나인 반도체 발광소자용 기판 제조방법
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6
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 기판과,상기 기판상에 형성된 n형 반도체 층과,상기 n형 반도체 층상에 형성된 발광 층과,상기 발광 층 상에 형성된 p형 반도체 층과,상기 p형 반도체 층상에 형성된 투명전극 층과,상기 투명전극 상의 소정 영역에 형성된 제 1 전극과,상기 n형 반도체 층상의 소정 영역에 형성된 제 2 전극을 포함하는 반도체 발광소자
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청구항 6에 있어서,상기 발광 층은 DH(Double-Heterojunction) 구조, SQW(Single quantum well) 구조, MQW(Multiple quantum well) 구조 중 어느 하나인 반도체 발광소자
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