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질화물계 물질층상기 질화물계 물질층 상에 구비되고 서로 이격된 복수의 나노로드층 및 상기 각 나노로드층 상에 구비된 질화물 양자점을 포함하는 소자
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제 1 항에 있어서,상기 각 나노로드층과 상기 질화물 양자점 사이에 피라미드 형태의 층이 더 구비된 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노로드층과 상기 질화물 양자점은 상부 콘택층으로 덮여 있는 소자
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제 1 항에 있어서,상기 각 나노로드층 상에 복수의 질화물 양자점이 존재하고, 상기 복수의 질화물 양자점은 다른 크기의 질화물 양자점을 포함하는 소자
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제 2 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 층은 상기 질화물 양자점에 포함된 금속을 포함하는 층인 소자
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제 1 항에 있어서,상기 질화물계 물질층은 Ga을 포함하는 질화물계 기판인 소자
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제 1 항에 있어서,상기 질화물 양자점은 Ga을 포함하는 양자점인 소자
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제 1 항에 있어서,상기 나노로드층은 상기 질화물계 물질층과 격자상수가 유사한 물질층인 소자
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제 8 항에 있어서,상기 나노로드층은 산화아연 나노로드층인 소자
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질화물계 물질층 상에 나노로드층을 형성하는 단계상기 나노로드층 상에 금속 박막을 형성하는 단계상기 금속박막을 금속 양자점으로 변화시키는 단계 및상기 금속 양자점을 질화하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계는,상기 질화물계 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계상기 마스크층에 상기 질화물계 물질층이 노출되는 복수의 관통홀을 형성하는 단계 및 상기 관통홀에 상기 나노로드층을 이루는 물질층을 채우는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 나노로드층을 형성하는 단계와 상기 금속 박막을 형성하는 단계는,상기 질화물계 물질층 상에 격자 정합층을 형성하는 단계상기 격자 정합층 상에 금속박막을 형성하는 단계상기 금속박막과 상기 격자 정합층으로 이루어진 적층물을 복수의 패턴으로 분할하는 단계 및 상기 분할된 복수의 패턴 사이를 절연층으로 채우는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속박막을 상기 금속 양자점으로 변화시키는 단계는,상기 금속박막을 어닐링하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 양자점을 질화하는 단계는,상기 금속 양자점에 대한 암모니아 형성조건을 조절하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 질화된 금속 양자점과 상기 나노로드층을 덮는 상부 콘택층을 형성하는 단계를 더 포함하는 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 나노로드층은 산화아연 나노로드층인 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 질화물 양자점은 Ga를 포함하는 양자점인 소자의 제조방법
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질화물계 물질층 상에 나노로드층을 형성하는 단계상기 나노로드층 상에 피라미드 형태의 물질층을 형성하는 단계 및 상기 피라미드 형태의 물질층의 끝부분에 질화물 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 물질층을 형성하는 단계는,피라미드 형성 조건을 적용하여 상기 나노로드층 상에 상기 물질층을 성장시키는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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제 18 항에 있어서,상기 피라미드 형태의 물질층의 끝부분에 질화물 양자점을 형성하는 단계는,상기 피라미드 형태의 물질층의 끝부분을 형성할 때, 상기 물질층의 소스와 암모니아 가스를 함께 공급하는 단계를 포함하는 소자의 제조방법
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