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자립형 ＩＩＩ족 질화물계 기판을 이용한 유무기 하이브리드 광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200789
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 구체예에 따라 제공되는 유무기 하이브리드 광기전소자는 p-n 접합을 구비한 무기 광기전 소자 및 염료감응형 광기전 소자의 일체화된 결합 구조를 하나의 III족 질화물 기판을 사용하여 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/06 (2006.01.01) H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03044(2013.01) H01L 31/03044(2013.01) H01L 31/03044(2013.01) H01L 31/03044(2013.01) H01L 31/03044(2013.01)
출원번호/일자 1020100092786 (2010.09.24)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1151326-0000 (2012.05.23)
공개번호/일자 10-2012-0031326 (2012.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 백종협 대한민국 대전광역시 서구
5 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
6 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614569-73
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0698155-21
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0631002-33
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1032117-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1032119-14
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0275457-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 간격을 두고 마주보는 하측의 제1 (+) 전극층 및 상측의 제2 (+) 전극층;상기 제1 (+) 전극층 상에 형성된, p-n 접합을 제공하는 반도체 층;상기 p-n 접합을 제공하는 반도체 층과 상기 제2 (+) 전극층 사이에 위치하는 패턴화된 III족 질화물 구조물; 및상기 패턴화된 III족 질화물 구조물의 일 면에 형성된 제1 (-) 전극층;을 포함하며,상기 패턴화된 III족 질화물 구조물은 패턴화에 의하여 형성된 복수의 홀 또는 복수의 로드를 포함하고, 상기 복수의 홀의 내면 또는 상기 복수의 로드의 외면에 염료감응형 광기전소자용 염료가 부착되며, 그리고 상기 패턴화된 III족 질화물 구조물 내 복수의 홀의 내부 공간 또는 상기 복수의 로드 외측에 형성된 공간에 전해질이 충진된 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
2 2
제1항에 있어서,상기 p-n 접합을 제공하는 반도체 층은 III족 질화물 재질인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
3 3
제1항에 있어서,상기 p-n 접합을 제공하는 반도체 층은 하부에 p-형 반도체 층 및 상부에 n-형 반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
4 4
제1항에 있어서,상기 III족 질화물 구조물은 n-형 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 (+) 전극층의 하면에 반사층 또는 리플렉터층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 (+) 전극층과 상기 III족 질화물 구조물 사이에 밀봉재 또는 접착제를 개재하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자
7 7
a) 자립형(freestanding) III족 질화물 기판 상에 p-n 접합을 제공하는 반도체 층을 형성하고, 상기 반도체 층의 일부를 제거하여 상기 자립형 III족 질화물 기판 상에 전극 부착 면을 제공하는 단계;b) 상기 p-n 접합을 제공하는 반도체 층 상에 제1 (+) 전극층을 형성하고, 상기 전극 부착 면에 제1 (-) 전극층을 형성하는 단계;c) 염료감응형 광기전소자용 염료의 부착 표면 및 전해질의 수용 공간을 제공하기 위하여 상기 p-n 접합을 제공하는 반도체 층의 형성 면과 반대되는 III족 질화물 기판의 면을 패턴화하여 패턴화된 III족 질화물 구조물을 형성하는 단계로서, 상기 패턴화하는 단계는 복수의 홀 또는 복수의 로드를 형성하는 것을 포함하며;d) 상기 복수의 홀의 내면 또는 상기 복수의 로드의 외면에 염료감응형 광기전소자용 염료를 부착하는 단계;e) 상기 패턴화된 III족 질화물 구조물 상에 제2 (+) 전극층을 형성하는 단계; 및f) 상기 패턴화된 III족 질화물 구조물 내 상기 복수의 홀의 내부 공간 또는 상기 복수의 로드 외측에 형성된 공간을 전해질로 충진하는 단계;를 포함하는 유무기 하이브리드 광기전소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 제2 (+) 전극층에는 전해질 주입구가 더 구비되며, 상기 단계 f) 이후에 상기 전해질 주입구를 폐쇄하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 단계 d) 이후에 밀봉재 또는 접착제를 상기 패턴화된 III족 질화물 구조물 상에 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 광기전소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국광기술원 전략기술개발사업 외부 양자 효율 향상을 위한 기반 기술개발