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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200794
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내부 전반사에 의한 발광소자의 광 추출 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 질화물 반도체 발광소자는 기판과, 기판 상에 형성되는 질화물 박막과, 기판과 질화물 박막 사이에 형성되어 빛의 전반사를 방지하는 반사부와, 반사부를 커버하도록 형성되며 질화물 박막의 형성 시 반사부의 소멸을 방지하는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 내부 전반사를 감소시키는 반사부를 감싼 보호막에 의해 질화물 박막 형성 시 반사부의 소멸이 방지됨으로써 광 추출 효율을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 질화물, 전반사, 발광소자, 클래드층, 보호막
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/46 (2010.01.01) H01L 33/58 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090073856 (2009.08.11)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1087901-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2011-0016247 (2011.02.17) 문서열기
공고번호/일자 (20111130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.11)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0489868-06
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0136131-92
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0344837-38
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0344849-86
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0676638-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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질화물 반도체 발광소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상의 일부에 형성되며, 빛의 전반사를 방지하는 반사부; 상기 반사부가 형성되지 않은 기판면에서부터 성장하는 질화물 박막 및 상기 반사부를 커버하도록 형성되며, 상기 질화물 박막의 성장 시 상기 반사부의 소멸을 방지하는 보호막을 포함하고, 상기 보호막은 입자로 구성된 상기 반사부에 코팅되어, 상기 반사부와 함께 상기 기판 상에 적층되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, (a) 입자로 구성된 반사부를 준비하는 단계; (b) 상기 반사부를 보호막으로 코팅하는 단계; (c) 상기 보호막으로 코팅된 상기 반사부를 기판 상의 일부에 적층하는 단계 및 (d) 상기 보호막으로 코팅된 반사부가 적층되지 않은 기판면으로부터 질화물 박막을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 질화물 박막은 상기 보호막으로 코팅된 반사부를 덮도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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